简介：Inthisstudy,weevaluatethevaluesoflatticethermalconductivityκLoftypeIIGeclathrate(Ge34)anddiamondphaseGecrystal(d-Ge)withtheequilibriummoleculardynamics(EMD)methodandtheSlack'sequation.ThekeyparametersoftheSlack'sequationarederivedfromthethermodynamicpropertiesobtainedfromthelatticedynamics(LD)calculations.TheempiricalTersoff'spotentialisusedinbothEMDandLDsimulations.Thethermalconductivitiesofd-Gecalculatedbybothmethodsareinaccordancewiththeexperimentalvalues.ThepredictionsoftheSlack'sequationareconsistentwiththeEMDresultsabove250KforbothGe34andd-Ge.Inatemperaturerangeof200-1000K,theκLvalueofd-GeisaboutseveraltimeslargerthanthatofGe34.

简介：TheultrafastdynamicprocessinsemiconductorGeirradiatedbythefemtosecondlaserpulsesisnumericallysimulatedonthebasisofvanDrielsystem.Itisfoundthatwiththeincreaseofdepth,thecarrierdensityandlatticetemperaturedecrease,whilethecarriertemperaturefirstincreasesandthendrops.ThelaserfluencehasagreatinfluenceontheultrafastdynamicalprocessinGe.Asthelaserfluenceremainsaconstantvalue,thoughtheoverallevolutionofthecarrierdensityandlatticetemperatureisalmostindependentofpulsedurationandlaserintensity,increasingthelaserintensitywillbemoreeffectivethanincreasingthepulsedurationinthegenerationofcarriers.IrradiatingtheGesamplebythefemtoseconddoublepulses,theultrafastdynamicalprocessofsemiconductorcanbeaffectedbythetemporalintervalbetweenthedoublepulses.

简介：GrazingincidentX-raydiffractionatdifferentgrazinganglesforself-organizedGedotsgrownonSi(001)arecarriedoutandlatticeconstantexpansionsof1.2?paralleltothesurfaceascomparedwiththeSilatticearefoundwithintheGedots.A3.1?latticeexpansionoftheGedotsalongthegrowthdirectionisalsofundbyordinaryX-ray(004)diffraction.AccordingtothePoissonequationandtheVegardlaw,ourresultsinferthattheGedotshouldbeapartiallystrainrelaxedSiGealloywithGecontentofabuot55?2001ElsevierScienceB.V.Allrightsreserved.

简介：用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃，而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃，且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响．

简介：ZnOfilmscontainingErandGenanocrystals（nc-Ge）weresynthesizedandtheirphotoluminescence（PL）propertieswerestudied.Visibleandnear-infraredPLintensitiesarefoundtobegreatlyincreasedinnc-Ge-containingfilm.Er-related1.54μmemissionhasbeeninvestigatedunderseveralexcitationconditionsupondifferentkindsofGe,ErcodopedZnOthinfilms.1.54μmPLenhancementaccompaniedbytheappearanceofnc-Geimpliesasignificantcorrelationbetweennc-GeandPLemissionofEr3+.Theincreasedintensityof1.54μminGe:Er:ZnOfilmisconsideredtocomefromthejointeffectofthelocalpotentialdistortionaroundEr3+andthepossibleenergytransferfromnc-GetoEr3+.

简介：

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简介：Inthispaper,high-speedsurface-illuminatedGe-on-Sipinphotodiodeswithimprovedeffidencyaredemon-strated.Withphoton-trappingmicroholefeatures,theexternalquantumefficiency（EQE）oftheGe-on-Sipindiodeis〉80%at1300nmand73%at1550nmwithanintrinsicGelayerofonly2μmthickness,showingmuchimprovementcomparedtoonewithoutmicroholes.MorethanthreefoldEQEimprovementisalsoob-servedatlongerwavelengthsbeyond1550nm.Theseresultsmakethemicrohole-enabledGe-on-SiphotodiodespromisingtocoverboththeexistingCandLbands,aswellasanewdatatransmissionwindow（1620-1700nm）,whichcanbeusedtoenhancethecapacityofconventionalstandardsingle-modefibercables.Thesephotodiodeshavepotentialformanyapplications,suchasinter-/intra-datacenters,passiveopticalnetworks,metroandlong-hauldensewavelengthdivisionmultiplexingsystems,eye-safelidarsystems,andquantumcommunications.TheCMOSandBiCMOSmonolithicintegrationcompatibilityofthisworkisalsoattractiveforGeCMOS,near-infraredsensing,andcommunicationintegration.

简介：WehavesynthesizedandinvestigatedphysicalpropertiesoftwonewquaternarycompoundsGd2CoAl4T2(T=Si,Ge)singlecrystals,whichareisostructuraltoTb2NiAl4Ge2andEr2CoAl4Ge2.Themostimportantstructuralfeatureofthesematerialsistheanti-CaF2-typeCoAl4T2slabs.Thesematerialsshowmetallicbehaviorbelow300Kandthereisalong-rangeantiferromagnetic(AFM)transitionappearingat20and27KforGdCoAl4Ge2andGd2CoAl4Si2,respectively.ResistivityandheatcapacitymeasurementsalsoconfirmthesebulkAFMtransitions.Furtheranalysisindicatesthatthislong-rangeantiferromagnetismshouldresultfromthemagneticinteractionbetweenlocalmomentsofGd^3+ions.

简介：如图1所示，是苏科版物理教材中用注射器、弹簧测力计、刻度尺完成“估测大气压的值”的实验示意图．测大气压的值实验误差较小的方法是托里拆利实验法（详见苏科版物理教材8年级下册第101页），但一方面由于水银蒸汽对人体有一定的毒性，不适宜让初中学生操作，另一方面由于液体内部的压强公式p=ρgh在《初中物理课程标准》中不做定量计算要求．

简介：本文对振动台位移幅值的自动测量方法进行了研究,利用迈克尔逊干涉仪原理实现了对微小振动位移的干涉测量.

简介：做Si的Ge(2)sb(2)Te(5)电影被dc劈啪作响magnetronco与Ge2Sb2Te5和Si目标准备了。在在两结晶化温度和阶段转变温度fromface-centred-cubic(fcc)的增加的Te(5)电影结果分阶段执行到的Ge(2)sb(2)的Si的增加六角形(十六进制)阶段。Ge2Sb2Te5电影的抵抗力显示出重要增加，Si做。当在这部电影做Si的11.8at.%时，在退火的460度C以后的抵抗力与undopedGe2Sb2Te5电影相比从64～99终止从1～11m终止(.)厘米和动态抵抗增加增加。这对写阶段变化随机存取记忆的当前的减小很有用。

简介：

简介：举例介绍用数学不等式解中学物理最值问题的方法。

简介：送检地下水水型为HCO3^--SO4^2--Ca^2＋-（Mg^2＋）型，酸碱度为中性、水介质属氧化型（Eh=640my）、低矿化，样品水中各项水质分析项目为，K^＋＋Na^＋，Ca^2＋，Mg^2＋，Fe^3＋，Cl^-，SO4^2-，HCO3^-，CO3^2-，NO3^-，OH^-；所对应分析值为0．670×10^-3，1．200×10^-3，0．400×10^-3，1．79×10^-3，0．036×10^-3，0．88×10^-3，2．074×10^-3，10^-5.863，0．035×10^-3，10^-7.07。

简介：

简介：首先对矩阵和其伴随矩阵的一些性质进行介绍，为后面的命题证明做一些准备；其次在文[1]的基础上给出一些更加具体的推论，并对这些推论进行证明；最后对A与A^＊的特征向量之间的关系给出了一个结果。

简介：用费波那契数列（ＦｉｂｏｎａｃｃｉＳｅｑｕｅｎｃｅ）计算规则联接的电阻、电容网络的等效值，方法特别且较常规的电阻（电容）串并联解法方便、快捷。

简介：在相同的反应体系中当ｐｈ值从约９．５调变至１１时分别合成出双中孔ＳｉＯ２和六方中孔ＳｉＯ２材料，并用ＸＲＤ、Ｎ２吸附、ＴＥＭ、ＴＧ／ＤＴＡ和ＦＴＩＲ等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明，双中孔ＳｉＯ和六方中孔ＳｉＯ２是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六方中孔ＳｉＯ２相比，双中孔ＳｉＯ２也具有典型中孔材料的特征ＸＲＤ谱图，虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单ＸＲＤ衍射峰（ｄ＝５．２ｎｍ），但它却给出一种独特的Ｎ２吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与ＳｉＯ２骨架间相似的相互作用，两类材料给出类似的ＦＴＩＲ谱图和ＴＧ／ＤＴＡ曲线。然而，在双中孔ＳｉＯ２的ＦＴＩＲ谱图中９６０ｃｍ处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔ＳｉＯ２较六方中孔ＳｉＯ２具有更高的骨架聚合度。更多还原