简介：微弧氧化是一项在Al、Mg、Ti等阀金属及其合金表面原位生长陶瓷膜的改性技术，其工艺研究受到广泛关注。介绍了微弧氧化技术的基本原理及机理发展概况，分析了能量参数、电解液及基体材料等主要因素对铝合金微弧氧化陶瓷膜的影响，总结了陶瓷膜的相结构特征和主要性能特点，并展望了微弧氧化技术的发展前景。

简介：为了探讨镁合金微弧氧化的动力学影响因素，研究了氧化电压、氧化电流、电解液等对膜层生长的影响，发现这几个因素都是膜层生长的关键因素，在我们的工艺条件下，电流密度范围在0．2～0．3A／cm^2之间能获得较好的膜层。

简介：综述了添加不同颗粒对合金微弧氧化处理及所生成涂层微观结构的影响，重点介绍了颗粒添加后涂层力学性能、耐蚀性和装饰性等的变化，提出颗粒添加控制是调整微弧氧化处理的重要手段。

简介：IBM一研究组（位于纽约的TJWatson研究中心）介绍了他们研制的栅长160hm的InGa4sMOSFET．也是为了评价当栅长与现代Si同类器件相当时，需要解决的关键问题。研究人员着手解决表面态问题，

简介：

简介：以0．8mol·L-1Al（NO3）3·9H2O的乙醇溶液为电解液，用阴极微弧电沉积的方法在HR2钢表面制备出厚度约为69μm的氧化铝陶瓷涂层，通过扫描电子显微镜（SEM）观察了涂层的表面和截面形貌，通过x射线能量色散谱（EDS）及x射线衍射仪（XRD）分析了涂层的成分以及相组成，通过电化学综合测试系统分析了涂层的电化学腐蚀性能，结果表明：涂层表面粗糙多孔，与基体呈犬牙咬合状结合；涂层主要由旷Al2O3和rAl2O3组成；涂层中含有少量的Fe元素，表明膜／基界面附近的基体在微弧放电的作用下也参与了成膜；沉积氧化铝涂层后，样品的腐蚀电流密度降低了1个数量级，耐腐蚀性能得到提高。

简介：(记者陈洁)十三年前,即1995年10月23～28日,《第二届中国功能材料及其应用学术会议》在成都召开。副所长赵光明教授出任大会总指挥。在大会特邀报告阶段,题为"激光被覆含氮合金层及其电化学性质研究"的报告引起了与会者的广泛关注与浓厚兴趣。报告者为(台湾)国立成功大学材料科学与工程学系教授蔡文达先生。此后,由于学术交流与项目合作等方面的原因,两位学者便结下了深情厚谊。今年6月12日,获悉海峡对岸的朋友来访,光明同志喜出望外。当日下午,他便和学会、《功能材料》期刊编

简介：微米／纳米技术是特征尺度跨越微米和纳米两个尺寸空间的高技术。微米／纳米技术既有区别，又有密切联系。总之，是21世纪的高技术，对国民经济、国防建没、科学研究和社会生活，以至于人们思维模式都有深远的影响。

简介：杨大智,1938年9月9日出生。2008年9月18日——即杨大智教授七十华诞后的第9天,我收到了一个寄自大连的邮包。拆开一看,发现是一本书名为《不忘的记忆》的回忆录。它记录了杨大智教授的生平与成就。拆封的一刹那,我和我的同事们

简介：在省市各界领导和各界的关怀和支持下，在各方面积极参与下，2005中国纳米西安科技研讨会如期召开了，我代表大会主办单位、协办单位、程序委员会向对会议召开表示衷心地祝贺。对来自全国各地的代表、专家、学者表示热烈地欢迎。

简介：

简介：在磷酸盐电解液中添加一定浓度的钼酸钠，采用微弧氧化技术在5083铝合金表面制备出完整的氧化膜，研究了钼酸钠浓度对氧化膜性能的影响。利用SEM、EDS和XRD研究了氧化膜的表面形貌、成分和结构，并采用动电位极化曲线和电化学阻抗谱（EIS）评价氧化膜的耐腐蚀性能。结果表明：随着钼酸钠浓度的增加，氧化膜的厚度先增后减，氧化膜表面的微孔数量逐渐减少，表面更加平整致密；氧化膜主要由γ-Al2O3组成，钼酸钠浓度对氧化膜成分和结构影响不明显；微弧氧化陶瓷膜提高了铝合金基体的耐腐蚀性能，当钼酸盐的浓度为1．0g／L时，氧化膜具有最低的自腐蚀电流和最高的阻抗模值，表现出最优的耐腐蚀性能。

简介：含有固化剂（如酚醛树脂）和促进剂（如咪唑及其衍生物）的环氧树脂基微电子封装料，因其室温下容易交联固化，必须低温（-20～-10℃）储存与运输。而采用微胶囊化方法延长储存期卓有成效，可使环氧树脂与固化促进剂在存放时分开，当升高到一定温度时，囊壳破坏而释放出固化促进剂。囊壳材料可以是中空无机物，如沸石，或者是有机聚合物。实际上包覆环氧树脂微电子封装料用固化促进剂的聚合物材料应具有可控的软化点或适当的分解沮度，此外，还要有良好的电绝缘性。

简介：2013年1月31日，在风景怡人、气候“温馨”的海滨城市厦门，素有中国最美丽校园之称的厦门大学，召开了“中国仪器仪表学会仪表功能材料分会2013年理事长办公（扩大）会议”。参加此次会议的有包括理事长北京大学严纯华院士、常务副理事长重庆材料研究院刘庆宾院长，副理事长：电子科技大学李言荣院士、西安交通大学宋晓平副校长、湘潭大学周益春副校长、哈尔滨工业大学韩杰才副校长、清华大学周济教授、

简介：杨大智男,1938年9月9日出生,江苏常州人。1956年于常州市第二中学高中三年毕业。1962年毕业于清华大学金属学与热处理专业。1962年8月底被分配到东北工学院金相教研室任教,一干就是10年。1972年3月调到大连工学院,来到机械系金相教研室。来后的第一件事就是参与《金属学及热处理》教材的编写。他执笔撰写了书中的第九、十、十一、十二、十六、十八、十九、廿七章及前言,占了全书的很大部分,并负责全书的绕稿。该书由科学出版社出版,在很长一段时间,国内很多高校都使用这本书。