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热解温度对聚碳硅烷转化SiC陶瓷结构及介电性能的影响

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摘要采用真空高温裂解聚碳硅烷法制备β-SiC陶瓷粉末，并对热解产物进行TGA/DSC、XRD和拉曼光谱表征。通过矩形波导法测量β-SiC陶瓷粉末与石蜡复合材料在8.2-18GHz下的复介电常数来研究其介电性能。结果表明：复介电常数的实部与虚部均随着热解温度的升高而增大。高温下产生的石墨碳引起的电子松弛极化及电导损耗是复介电常数的实部与虚部增大的主要原因。

DOI g4q5ezw948/1193924

作者丁冬海;周万城;周璇;罗发;朱冬梅

机构地区不详

出处《中国有色金属学报：英文版》 2012年11期

关键词 SIC陶瓷聚碳硅烷转化SiC 介电性能热解温度自由碳复介电常数

分类 [金属学及工艺][金属材料]

出版日期 2012年11月21日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

中国有色金属学报：英文版

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SIC陶瓷聚碳硅烷转化SiC 介电性能热解温度自由碳复介电常数

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