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SiC基和Si基永磁同步电动机驱动器的比较

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摘要 SiCMOSFET比SiIGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力,有利于减小永磁同步电动机（PMSM）驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。针对1kWPMSM,对功率器件分别采用SiIGBT和SiCMOSFET的PMSM驱动器进行了功率损耗计算分析,并对死区效应的影响进行了阐述和仿真分析。设计制作了基于两种功率器件的PMSM驱动器,对损耗、效率、散热器温升以及低速下死区效应的影响进行了实验对比,研究表明,SiCMOSFET可使PMSM驱动系统获得更高的效率、功率密度和更好的动态性能。

DOI 54k6pn0ljk/1524509

作者谢昊天;秦海鸿;聂新;朱梓悦;马策宇

机构地区不详

出处《上海电机学院学报》 2015年3期

关键词碳化硅永磁同步电动机高开关速度开关损耗

分类 [电气工程][电机]

出版日期 2015年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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