摘要
<正>00585UltraBroadbandMEMSSwitchonSiliconandGaAsSubstrates/R.Chan,R.Lesnick,D.Caruthetal(UniversityofIllinois,USA)//GaAsMANTECHConference.2003.—25报导了高可靠dc～110GHz低压毫米波GaAs与Si衬底MEMS开关的性能。当频率高至110GHz,该开关插损小于6dB,隔离度大于15dB,开关寿命大于6.9×10~9循环。文章还介绍了实现超宽带性能及高可靠性所采用的设计方法和制造方法。
出版日期
2003年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
