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辉钼有望代替硅成为新一代半导体材料

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摘要 <正>据美国物理学家组织网1月31日报道,近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室称,用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体,或用来制造更小、能效更高的电子芯片,在下一代纳米电子设备领域,将比传统的硅材料或石墨烯更有优势。研究论文发表在1月30日的

DOI g4qnk5qr48/1564024

作者郑冬冬

机构地区不详

出处《半导体信息》 2011年2期

关键词半导体材料美国物理学家纳米电子学电子芯片石墨烯设备领域

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2011年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）