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硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究

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摘要评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。

DOI rj8zgxlyj0/1664234

作者刘学勤;董安平

机构地区不详

出处《电子与封装》 2016年9期

关键词深反应离子刻蚀刀片机械切割崩角开裂

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2016年09月19日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）