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《军械工程学院学报》
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2005年3期
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集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系
集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系
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摘要
利用静电放电(ESD)模拟器对集成电路芯片进行电压注入损伤效应实验,通过存贮示波器记录的波形进行乘法和积分运算,得到对应注入电压下芯片上吸收的平均峰值功率和能量.对放电电压与平均峰值能量作散点图,采用曲线拟合的方法对离散点进行拟合,针对该曲线拟合的方法进行了分析,最终建立了ESD注入电压与平均峰值能量之间的数学模型.
DOI
7dm661qrjn/348706
作者
谭志良;刘尚合;林永涛;刘存礼;国海广;杨洁
机构地区
不详
出处
《军械工程学院学报》
2005年3期
关键词
ESD
电压
能量
效应
损伤
集成电路芯片
分类
[兵器科学与技术][武器系统与运用工程]
出版日期
2005年03月13日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
军械工程学院学报
2005年3期
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