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退火温度对射频磁控溅射制备ZnO薄膜的影响

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摘要摘要采用X射线衍射分析(XRD)测试分析了多晶ZnO薄膜的晶格结构和力学性能。薄膜的制备采用了射频(RF)磁控溅射方法,并分别在不同温度下进行了退火处理。XRD分析显示随着退火温度的上升,薄膜的晶粒尺寸逐步增大,且C轴取向显著增强。测试结果表明适当的退火处理对ZnO薄膜的结晶品质有明显的改善。

DOI rdxz39mkjl/3539997

作者李恩成

机构地区（大连东软信息学院）

出处《知识-力量》 2019年6期

关键词 X衍射分析 RF磁控溅射退火

分类 [文化科学][]

出版日期 2019年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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