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氧化铪栅介质及其金属-氧化物-半导体结构的辐照总剂量损伤效应研究进展

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摘要摘要本文回顾了HfO2及其MOS结构的辐照损伤效应研究进展，介绍了HfO2/Si系统的本征特性及其在辐照作用下的陷阱电荷特性及物理化学特性研究的主要成果。

DOI 54k5kvn24k/3881233

作者丁曼

机构地区 (河海大学南京211100)

出处《电力设备》 2018年23期

关键词氧化铪金属-氧化物-半导体结构辐照损伤效应

分类 [电气工程][电力系统及自动化]

出版日期 2018年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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