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用于高功率密度功率因素校正的新一代600V砷化镓肖特基二极管
用于高功率密度功率因素校正的新一代600V砷化镓肖特基二极管
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摘要
在200W连续导通模式功率因数校正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二级管比较,砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓有较低的结电容,砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比,砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说,新一代的砷化镓二级管是很有前景的。
DOI
zdl1gok84l/402616
作者
Stefan Steinhoff IXYS Berlin GmbH
机构地区
不详
出处
《电力电子》
2005年6期
关键词
肖特基二极管
砷化镓
功率因素校正
高功率密度
一代
功率因数校正
分类
[电子电信][电路与系统]
出版日期
2005年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
电力电子
2005年6期
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