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我国在非极性GaN材料研究中取得进展

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摘要在国家863项目和中国科学院创新工程的支持下，中科院半导体研究所曾一平研究员带领的课题，采用自行研制的HVPE氮化物生长系统，通过在m面蓝宝石上磁控溅射生长薄层的ZnO缓冲层，进而外延生长获得了非极性GaN厚膜材料，该材料具有较低的位错密度，适合开发用于LED、LD等氮化物发光器件的衬底材料，同时对比实验表明，薄层的ZnO对于形成非极性GaN起到了至关重要的作用，

DOI g4q09lmnj8/614548

作者

机构地区不详

出处《现代材料动态》 2008年8期

关键词 GAN材料非极性 ZnO缓冲层生长系统中国科学院 863项目

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2008年08月18日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）