Laser Induced Damage Threshold at 355 and 1064 nm of Ta2O5 Films of Different Phases

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摘要 Ta2O5电影被常规电子横梁蒸发方法在熔化硅石底层上扔。由在不同温度退火,非结晶、六角形、斜方晶的阶段的Ta2O5电影被获得并且由X光证实衍射计(XRD)结果。X光检查光电子光谱学(XPS)分析证明所有这些电影的化学作文是stoichiometry。非结晶的Ta2O5电影完成最高的激光,这被发现在355或1064nm的导致的损坏阀值(LIDT)任何一个,由六角形的阶段和最后斜方晶的阶段列在后面。当前者显示出一个一致熔化区域,当后者在至少一个缺点点上被集中时,在355和1064nm的损坏形态学是不同的,它被不同损坏机制导致。在1064nm的LIDT的减少被归因于增加结构的缺点,当时在355nm由于增加的联合效果结构的缺点和减少的乐队差距精力。[从作者抽象]
机构地区 不详
出版日期 2008年09月19日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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