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n-GaN成长条件对blue mini LED特性的影响
n-GaN成长条件对blue mini LED特性的影响
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摘要
摘要:Mini LED背光应用在电视,车载显示,笔电,智能穿戴等产品的显示技术正在迅速发展。以图形化蓝宝石为衬底,采用有机金属化学气相沉积技术生长blue mini LED外延片。本文通过调整N型氮化镓层的成长速率,硅浓度,厚度的条件获得不同条件的外延片,将这些外延片制作成芯片并量测LED特性。研究N型氮化镓层不同成长条件对LED特性影响。
DOI
rdx67gykdl/6747597
作者
林小坤
邱汉德
杨鸿志
机构地区
开发晶照明(厦门)有限公司,福建厦门 361000
出处
《科学与技术》
2022年18期
关键词
N型氮化镓层 成长速率 硅浓度 厚度 LED特性
分类
[建筑科学][建筑技术科学]
出版日期
2023年01月07日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
科学与技术
2022年18期
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