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Ga2O3材料制备方法的研究进展
Ga2O3材料制备方法的研究进展
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摘要
摘要:作为一种新兴的超宽带隙半导体,氧化镓(Ga2O3)受到了广泛的关注。高质量的块状晶体和薄膜是结构、电学和光学特性的基础研究和进一步器件制造的起点,为了实现高性能的Ga2O3基器件,必须通过控制载流子密度、缺陷密度和界面密度来制备高质量的Ga2O3薄膜和单晶。在本文中,我们将简要概述大块单晶合成以及不同外延生长技术的特性和研究进展, 并指出了目前研究中存在的困难和挑战。
DOI
lde39pp543/6934241
作者
刘博
聂晓渊
李慧
王彤鑫
林明鸿
机构地区
(吉林建筑大学 电气与计算机学院)
出处
《中国科技信息》
2023年4期
关键词
分类
[][]
出版日期
2023年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
中国科技信息
2023年4期
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