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SONOS非易失性存储器件研究进展

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摘要随着半导体存储器件的小型化、微型化，传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大，对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近，基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件，以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展，并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。

DOI 3j7x1y8m41/784777

作者曾俊;傅仁利;宋秀峰;张绍东;钱凤娇

机构地区不详

出处《电子与封装》 2009年8期

关键词存储硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅氮化硅非易失性势阱纳米晶

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2009年08月18日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电子与封装

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