摘要
摘要：本文采用高熵合金中间层对C/SiC复合材料和GH4169高温合金进行了真空扩散连接研究。结果表明，在扩散焊温度1170℃保温时间30min条件下，高熵合金中间层与C/SiC复合材料及GH4169高温合金发生界面反应，实现了可靠连接。研究了高熵合金中间层中Ni元素含量对接头微观组织演变及力学性能的影响规律。Ni含量较低时，高熵合金中间层与C/SiC复合材料界面冶金反应较弱，存在较多界面孔洞与裂纹，随着高熵合金中Ni元素含量的升高，中间层与C/SiC复合材料界面反应逐渐加剧，界面孔洞与裂纹逐渐闭合，进而导致接头力学性能提高。当高熵合金中间层中Ni元素含量为50%时，接头强度最高，为87MPa。
出版日期
2024年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
