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《材料导报:纳米与新材料专辑》
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2009年2期
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隧道磁电阻效应的原理及应用
隧道磁电阻效应的原理及应用
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摘要
隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点,在磁随机存取存储器(MRAM)、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器件上颇受欢迎,有着广阔的应用前景。重点介绍了隧道磁电阻效应中自旋相关输运特点及原理,阐述了最近几年国内外最新研究进展,最后讨论了隧道磁电阻效应在实际应用中所面临的一些问题。
DOI
lj1oyvv14v/817420
作者
吉吾尔·吉里力;拜山·沙德克
机构地区
不详
出处
《材料导报:纳米与新材料专辑》
2009年2期
关键词
隧道磁电阻效应
磁隧道结
MGO
AL2O3
分类
[一般工业技术][材料科学与工程]
出版日期
2009年02月12日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
材料导报:纳米与新材料专辑
2009年2期
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