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Analytical Modeling of Source-to-Drain Tunneling in Nanoscale Silicon MOSFET

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摘要 Sub-10-nm体积n-MOSFET(金属氧化物半导体地效果晶体管)直接source-to-排水管通道水流密度使用Wentzel-Krammers-Brillouin(WKB)传播通道理论被模仿了。隧道长度和障碍高度上的source-to-drain通道水流的依赖被检验。倒置层量子化，变窄的乐队差距，和导致的障碍降低完成的排水管在模型被包括了。漏水流密度在4nm隧道长度下面严重地增加，这被观察了，因此把限制放到按比例缩小MOSFET。结果与已经在文学报导的数字结果仔细匹配。

DOI odwke829dk/943356

作者 Amit Chaudhry;Jatinder Nath Roy

机构地区不详

出处《电子科技学刊：英文版》 2010年4期

关键词 MOSFET 纳米硅金属氧化物半导体场效应晶体管隧道漏电流密度建模

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2010年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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