简介：摘要：在此次研究过程中，主要对于直线四探针法中所具有的直边界，对于实际硅片电阻率测量产生的影响进行研究，并且开展综合性的实验。在实验过程当中，具体的结果可以表明，直边界会在一定程度上致使硅片电阻率测量结果偏大，依照实际的数据可以分析得到，存在单一直边界影响时，相应的电阻修正公式，同时能够对该公式所具有的有效性进行验证证明该公式具有高度的正确性，以下对直边界对电阻率测量所具有的影响及修正方式进行详细的分析。
直边界对电阻率测量的影响及修正
