简介：摘要：本研究旨在探讨基于化学反应机制的氧化铝系统杂质排除方法对晶体生长的影响。首先分析晶体生长过程中杂质的来源和影响，随后提出了一种利用化学反应原理的排除方法。实验结果表明，该方法能有效提高晶体的纯度和质量。通过对排除效果、晶体质量以及生长过程的稳定性进行综合评估，验证了该方法的有效性。进一步展望表明，该方法在晶体生长技术领域具有广阔的应用前景，有望推动晶体材料领域的进一步发展和应用。
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