简介：通过对浸渍前后C/C复合材料抗弯性能、剪切性能和耐压性能的比较,分析了浸渍工艺过程对C/C复合材料力学性能的影响.浸渍工艺使C/C复合材料力学性能有明显改善:抗弯强度由浸渍前的101MPa提高到浸渍后的159MPa,剪切强度由浸渍前的8.6MPa提高到浸渍后的12.1MPa,抗压强度由浸渍前的82MPa提高到浸渍后的136MPa.浸渍前后C/C复合材料断口的扫描电镜照片分析可得出浸渍工艺的炭生长层有与CVD工艺类似的微观结构的结论.

简介：以CVD工艺预增密至一定密度的自制刹车用炭/炭(C/C)复合材料和国外C/C复合材料刹车片为研究对象,分别采用中温沥青及高温沥青为浸渍剂,对C/C刹车片进行浸渍-炭化新工艺补充增密处理.结果表明:自制及国外C/C刹车片均具有较好的可浸渍性;可以采用沥青浸渍-炭化法高效增密;两种沥青相比,高温沥青残炭率更高,但也易产生难石墨化炭;针对整个沥青而言的宏观残炭率与只针对样品而言的实际残炭率的差距随着炭化压力提高而变小,因而,为了快速制取C/C复合材料刹车片,必须提高炭化压力;新工艺补充增密后C/C复合材料刹车片样品各项性能比增密前均有显著的提高.

简介：以干法成形技术制备的炭纤维坯体为预制体，酚醛树脂作粘结剂，通过浸渍、模压、炭化、CVD和石墨化制备质子交换膜燃料电池用炭纸。借助扫描电镜（SEM）观察炭纸表面形貌，用四探针法测试炭纸面电阻。研究结果表明：浸渍模压与CVD复合工艺在炭纤维表面形成连续均匀的热解炭层，增强纤维与基体的结合，减少裂纹缺陷，提高炭纸的导电性能；炭纸横向和纵向的面电阻分别为0.34Ω和0.37Ω，小于日本东丽炭纸的面电阻0.43Ω和0.70Ω。

简介：以硝酸银为原料，用N，N-二甲基甲酰胺溶剂作还原剂，聚酰胺酸（polyamicacid，Phi）为稳定剂，制备金属银纳米粒子。利用红外光谱分析银纳米粒子的形成对PAA结构的影响；用X射线衍射确定银／PAA复合粉末中银粒子的结晶状态；用紫外一可见吸收光谱实时检测不同PAA质量浓度的溶液中纳米粒子的等离子体共振吸收情况；用透射电镜观察银纳米粒子的形状和大小。结果表明：银纳米粒子的生成对PAA的分子结构几乎没有影响；银纳米粒子具有很好的结晶度；紫外一可见吸收光谱出现明显的不对称双峰；银纳米粒子长大是奥斯特瓦尔成熟过程，制备的银纳米粒子具有较好的形貌，呈软团聚多晶态。

简介：硝酸银溶液中加入浓氨水配制成一定pH的银氨溶液,加入双氧水作还原剂制备超细银粉,对加料方式、银氨溶液pH值、AgNO3溶液浓度、双氧水浓度等参数以及分散剂对银粉的影响进行研究。结果表明,采用正向快速加料法可制备出分散性好的银粉;调节银氨溶液pH值可改变银颗粒的Zeta电位,进而改变银粉的分散性;银粉粒径随双氧水浓度提高先增大后减小,随AgNO3溶液浓度提高而增大;分散剂对银粉形貌有较大影响。在硝酸银溶液浓度为0.1~0.3mol/L,银氨溶液pH值为10.0~11.0,双氧水浓度（质量分数）为3%的条件下,不使用任何分散剂可制备出分散性较好、平均粒径1.9~2.3μm的类球形银粉。

简介：以AgNO3为原料，抗坏血酸为还原剂，采用快速加料的方式制备高分散性超细银粉，用扫描电镜、ζ电位分析仪、紫外-可见光谱分析仪等对银粉进行表征，研究硝酸银溶液性质如硝酸银溶液浓度c（AgNO3）、初始pH值，以及表面活性剂的加入对超细银粉形貌与粒径的影响。结果表明，当c（AgNO3）＞0.30mol/L时，银粉表面粗糙、形貌变得不规则且分散性变差。银粉粒度随硝酸银溶液pH值增大而减小，但pH增大到7.0时银粉团聚现象较严重。抗坏血酸分子在还原过程中具有自分散作用，在c（AgNO3）为0.2mol/L、初始pH=5.0的条件下，不添加任何表面活性剂即可获得分散性好、表面光滑、形貌规则的球形银粉。在AgNO3溶液中加入分散剂PVP可适当减小银粉粒径，而加入丁二酸、吐温80、PEG、PAA和明胶等分散剂对银粉形貌的改善不大。

简介：研制了一种以玻璃粉作为粘结相的低温烧结型银基浆料，并应用于集成电路半导体芯片贴装工艺。重点考察了半导体芯片与氧化铝陶瓷基座组装后的附着力，以研究浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的含量以及芯片的净化处理工艺、烧结工艺对组装件剪切力和温度循环后剪切力的影响。结果表明：采用有机溶剂和皂化除油，银粉和玻璃粉质量比为7：3，有机载体和固体相质量比为1：9，在430℃烧结，保温时间在20～25min时，能获得最大剪切力。