简介:本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法,包括下述步骤:提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片;在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层;将硅晶片的厚度减少至预定水平;以及在所述硅晶片上提供第二表面,
简介:尝试用热丝化学气相沉积工艺(HFCVD)在铁衬底上合成金刚石。通过喷嘴向铁衬底上喷射源气体,可在大气压下合成金刚石。金刚石晶粒尺寸在180分钟内可生长到约20μm。用本工艺合成的金刚石只含有少量非金刚石碳。同铁衬底的情况一样,喷射源气体也有利于硅片上的金刚石合成。
简介:本文从粘结剂的配制、粘结性能、粘结工艺等几个方面介绍了氧化铜无机粘结剂及其在模具中的应用,能较好地运用于实践。
简介:
电子器件的金刚石基衬底
利用热丝CVD工艺在铁衬底上合成金刚石
氧化铜无机粘结剂在冷冲模中的应用
含稀土与其氧化物的碳化钨基硬质合金
最新发现与创新:科学家点二氧化碳成金刚宝石