简介：针对大多数空间谱估计方法在单快拍情况下失效的问题,本文以奇异值分解为基本手段,提出一种直接利用单快拍阵列接收数据构造长方形伪协方差矩阵的方法模型。相比于已有构造Hermitian矩阵的伪协方差矩阵构造方法,本文提出的构造方法一方面等效阵列维度更高,角度估计性能更优;另一方面,其基本构造模型兼容已有构造方法,更具一般性。理论分析和仿真试验验证了本文提出构造方法的正确性和有效性。

简介：从某种意义上来说,一个国家农民的生产生活水平,直接反映了这个国家的第一产业的发展情况,也体现了这个国家的经济结构是否合理.

简介：新加坡金管局11月20日宣布SGQR码的技术标准已经获得付款理事会批准.SGQR码由新加坡金管局和资讯通信媒体发展局共同领导的行业行动小组制定.小组成员包括三家本地银行、万事达卡和威士卡等付款机构,支付宝和微信支付等QR码付款服务供应商,这些机构今后能以SGQR码取代各自的QR码.

简介：随着储能相关技术的发展，以及相关标准的制定和出台，储能技术将对电网的稳定运行提供保证。这将促进光伏发电市场的进一步扩大和发展。从大的市场需求来看，由于受到补贴调整等国家政策的影响，集中式光伏电站的市场占比将在未来呈现下降趋势，而分布式光伏发电的市场份额将呈现增长趋势。

简介：三农信息化发展近二十年还处于初步发展阶段,原因很多,其中,我国农村、农业的管理相对落后是很重要的因素.新形势下,如果农村管理水平得到不加强,农村、农业的生产与经营就很难提质增效,城乡一体化也很难实现.

简介：自对准双重图型（SADP）技术广泛应用于28nm以下节点逻辑电路制造工艺和存储器制造工艺。与其他双重图形技术（LELE,LPLE）相比,在处理二维图形分解时,SADP面临更复杂的要求。针对一种简单的二维图形,介绍了3种图形分解方法,可以有效改善线宽和对准工艺窗口。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。

简介：三星电子正式宣布，该公司为5G基础建设所设计的28GHz毫米波射频芯片已经研发完成，准备进入商用化阶段，采用该芯片的5G设备将在2018年初正式发表。三星电子执行副总裁暨次世代通讯业务主管KyungwhoonCheun表示，该公司为了完成这款28GHz5G射频芯片，已经在相关基础技术研究上投入数年时间。如今这款芯片进入商用化阶段，象征着过去的努力终于拼凑出完整的成果，同时也是5G商用化的一个重大里程碑。