简介：在雷达信号和通信信号一体化电子战系统中，需要处理的雷达信号和通信信号在时频域都是重叠的，存在很强的时频耦合，给信号检测带来很大的困难。讨论了作为干扰的强通信信号对宽带雷达脉冲信号非协作检测的影响，提出了一种基于分数阶Fourier变换的干扰抑制方法。该方法利用分数阶Fourier变换对不同信号的时域聚集特性，在分数阶Fourier变换域滤除干扰，提高了信号的信干比，改善系统对宽带脉冲的检测性能，该方法对存在多个通信干扰信号时仍然适用。仿真结果表明，该方法对提高系统检测宽带雷达脉冲信号的性能是有效的。

简介：<正>富士电机将在深圳建设功率半导体的后工序生产基地,新设功率半导体的后工序组装及检测设备,同时还将建设新厂房。新的生产基地预定从2012年9月开始运转。产能方面,目前计划月产5万个,新厂房完工后再扩大生产规模。据介绍,此次的投资额为15.3亿日元。

简介：虽然金融危机已经过去，但是江苏省中小企业面临的经济环境依然不容乐观，如何加快实现企业的转型升级成为一个亟待解决的问题。云计算为企业摆脱危机困扰提供了一次新的机遇，按照“云”的方式改造中小企业将会带来创新性的变革。

简介：<正>三菱电机在安徽省设立了生产功率半导体模块的合资公司。系与其组装及测试工序制造受托方捷敏电子(上海)有限公司合办,将从2012年1月开始生产。据称,计划2015年将在华组装及测试工序的产能扩大至2011年的2倍。新公司名为"三菱电机捷敏功率半导体(合肥)有限公司"。资本金为500万

简介：<正>罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。