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  • 简介:通过拉大端射天线阵元间距到1.5λ,可以获得组阵高增益,但是引入了栅瓣问题。提出了一种基于最小二乘估计的虚拟内插阵元算法来实现栅瓣抑制。虚拟端射阵列的阵元间距减小到(或者小于)0.5λ,这样栅瓣得到抑制。最后进行试验验证算法的可行性和正确性。试验结果表明:随着虚拟内插端射天线阵元个数的增加,栅瓣明显被抑制,峰值副瓣电平降低。在相邻两个实阵元间内插3个虚拟阵元,虚拟端射阵列保持了实端射阵列高增益,而实阵列峰值副瓣电平为-8.35dB,下降到虚拟阵列峰值副瓣电平为-18.25dB,栅瓣得到有效抑制。试验结果验证了基于最小二乘估计的虚拟内插阵元算法的可行性和正确性。

  • 标签: 端射天线 栅瓣 最小二乘 虚拟阵列
  • 简介:为了对某雷达接收机的采样信号进行指标测试,设计并实现了一种光接口数据采集测试系统。该系统硬件部分以FPGA为核心完成光接口对8路中频采样模块16位数据的接收,并配备大容量DDR2对数据进行实时存储,以cPCI芯片CY7C09449PV作为数据采集板与上位机的接口,由计算机应用程序进行控制,将采集到的数据传回计算机中进行时域、频域波形显示,以及ADC动态参数、通道参数的计算。经过测试,系统成功实现同时对8通道数据进行接收并且对其中任意4通道数据进行频谱的绘制以及进行指标计算。

  • 标签: FPGA 光接口 ADC动态参数 通道参数
  • 简介:传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。

  • 标签: RF LDMOS 槽型sinker 击穿电压 功率增益 漏极效率