简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

简介：一、移动市场整体特点日本移动通信起步于1992年，采用模拟制式，发展不是很快。1995年引入PDC系统，移动开始进入飞速发展，不到10年时间已进入饱和期，模拟网于1998年退网。经过3年的发展，2001年则引入世界第一个3G业务。

简介：<正>根据德国一项调查显示,2010年全球纳米技术创造的市场将达1万4400亿美元,而即将于今年七月十日创刊的日本《周刊纳米技术》编辑部所做的调查,则推估2010年纳米技术全球市场规模约为167亿美元,虽然两者数字差距颇大,但从绝对值来看,却是十分诱人。由于纳米技术应用领域相当广泛,包括材料科学、生命科学、信息电子、能源科学及环境科学等,目前世界各主要国家都争相发展纳米科技,纳米技术俨然成为下一代最重要的新兴关键科技。日本是全球最早投入大量资源从事纳米技术研究开发的国家之一,从目前的基础研究与应用成绩来看,日本在纳米技术总体实力领先欧美,甚至在许多领域还凌驾于美国之上,纳米碳管及纳米锥角(CarbonNanoHorn)都是由日本科学家饭岛纯男首

简介：<正>据日本媒体NihonKeizaiShimbun报道,日本有色金属制造商DowaMin-ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGKInsulators公司提供。Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。

简介：按照分析报告，日本3G市场正在稳步发展。

简介：<正>日本工业经济新闻报导指出,由于数字随身听市场走强超过预期,造成关键器件的闪存(Flash)需求一路攀升,包括东芝、富士通以及Elpida在内的半导体厂近日均积极扩增产能。其中,东芝就计划倍增半导体厂生产计划,预计将2005年底闪存的月产量增为2.15万片。而富士通也于近期确定将新厂产能满载的时间表提前1年,以满足市场所需。

简介：上个星期全球UMTSTDD联盟同意日本政府为IMT-2000TDD技术分配2GHz频段。该联盟相信，这将导致日本市场竞争的加强和新业务的推出。

简介：日前，一种可利用自来水固化的在印刷线路板中使用的墨水状环氧树脂，由日本Yamatoya商会研制成功，并在“2005年第35届国际电子电路产业展”上展示。

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简介：<正>据《华强电子世界》报道,日本东芝公司和NEC电子公司近日公布,将合作开发下代系统大规模集成电路(LSI)。由于东芝公司同时也在与索尼公司进行

简介：<正>据《NIKKEIELECTRONICS》2002年第9—23期报道,日本松下电子新开发了用于GSM手机的天线开关。该器件采用了松下电子开发的LTCC制造技术,厚度由原来的1.8mm降为1.5mm。从而提高了集成度,实现了SAW滤波器的集成。其外形尺寸为6.7mm×5.5mm。该器件的样品价格在506日元～700日元之间,计划2003年7月开始批量生产。

简介：据报道，日本政府近日将再颁发三个手机牌照，并已要求有关公司7月以前递交提案。

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简介：<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

简介：世界最大的移动电话运营商沃达丰集团，正在准备利用自身丰富的经验和先进的高速无线通讯技术，在亚洲的日本市场上更进一步。在沃达丰看来，日本市场潜力巨大，沃达丰集团的日本分公司沃达丰KK公司总裁认为，“日本是走在3G前列的”。据称，沃达丰集团总裁本月将到日本参加公司高层会议，目标就是推进公司在日本市场的跨越式发展。

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简介：日本企业在ODS和卤代烃清洗剂替代过程中形成的主流技术-碳氢清洗,具有洗净力强、适用面广、安全环保等诸多优势,值得我们学习和借鉴.本文详细介绍了碳氢清洗剂和真空清洗干燥机的特点和技术.

简介：日本软银集团旗下的BB移动日前向日本总务省申请了使用1．7GHz频带的3G（第3代手机服务）执照。该公司是首次被正式纳入3G用1．7GHz频带的分配范围。BB表示计划2007年内开始正式提供商用服务。不过，可能在2006年秋季前后开始试验性服务。

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