简介：

简介：<正>据《今日电子》2005年第10期报导,美国Illinois大学Urbana-Champaign校区的研究人员使用DNA分子支架研制出的超导纳米器件证实了一种新的量子干扰。这种器件可用来测量磁场和测定超导区域。一位研究人员说:"利用DNA的自我装配过程可为带有分子线度的电子器件制造出复杂的支架。"用来构造和研究纳米结构的包括成对的悬置超导金属线,其粗细仅有3-4个分子直径(5-15nm)。纳米器件的制作需在硅晶圆上蚀刻出宽度仅为100nm

简介：金属墙镶嵌氧化铝陶瓷绝缘子是微波毫米波芯片广泛运用的一种封装外壳形式，而绝缘子则是封装外壳的关键组成部分，它连接了封装外壳内的器件和外部的模块，所以它的特性直接影响所封装器件或模块的微波性能。文章通过对一种现有的镶嵌类封装外壳的陶瓷绝缘子利用电磁场仿真软件HFSS进行微波S参数仿真设计、用普通高温共烧陶瓷（HTCC）工艺加工后，进行测试及改进，减小了陶瓷绝缘子的微波传输损耗和驻波比，从而提高了外壳使用截止频率。

简介：电力是工农业生产和日常生活不可缺少的能源,随着经济的发展和全社会生活水平的提高.人们对电力系统供电的能力和质量也提出了越来越高的要求.但随着工业交通的发展和乡村城市化的加速,高压电器设备在污秽条件下闪络和损坏的问题已日趋严重.

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简介：<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的硅集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通硅晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领

简介：得可太阳能将利用今年的欧洲太阳能光伏展，展示标准印刷工艺如何开发以产生明显的能效优势。9月21-25日在德国汉堡举行的展会上，得可的资深工艺开发专家TomFalcon将发表关于硅太阳能电池正面导线印刷面积比改进的新论文。

简介：采用物理气相传输（PVT）工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘（HPSI）6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱（SIMS）测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping（CORE-MA）和电子顺磁共振（EPR）测试进一步证实其高纯半绝缘特性。

简介：<正>美国佐治亚理工学院(GeorgiaInstituteofTechnology)宣布,开发出了特性几乎不会劣化的有机FET。可在大气且低温的环境中制造,有望为柔性有机电子,比如有机类太阳能电池、RFID、有机EL的实用化做出巨大贡献。进行开发的是佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授BernardKippelen

简介：介绍一种用于变电站电气设备绝缘在线监测的数据采集装置,合理的硬件设计使装置具有良好的性能。文中也对软件设计中的有关问题作了详细讨论。

简介：射频绝缘体上硅公司PeregrineSemiconductor近期宣布在微波频率段实现集成相位和幅值控制,这是其下一阶段智能集成能力的发展重点。去年秋天,Peregrine宣布利用UltraCMOS技术可将射频、数字和模拟组件集成在单一芯片上。如今通过在更高频率条件下实现相位和幅值控制,Peregrine公司表示可以为无线基站,合成孔径雷达,波束形成和取消干扰等应用领