简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。
简介:为了有效地评价图像质量,该文提出一种应用人眼视觉特性的全参考图像质量评价方法。该方法主要考察了人眼的两个视觉特性,即韦伯定律和视觉注意机制,并利用这两个特性计算对应的差异激励图和视觉显著性图,将其作为能够反映图像失真的特征图,同时考虑了观察因素的影响,最后得到了失真图像的质量评价指标。实验结果表明,该方法在LIVE、CSIQ和LIVEMD三个图像库上有很好的表现。三个图像库的加权平均结果显示,本文方法的表现优于所有对比方法,包括近期提出的GMSD和VSI方法,说明本文方法的评价结果与主观感知不仅具有更好的一致性,而且具有很好的通用性和鲁棒性。