简介：在不同条件下（不同助剂比例和不同研磨液浓度），通过对锗化学机械抛光速率变化的研究，探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程，分析了助剂比例对抛光速率的影响。
简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)
锗晶片化学机械抛光的条件分析
半导体材料掀革命10nm制程改用锗/Ⅲ-V元素
