简介：通过二维TCAD仿真，对IGBT的单粒子入射作用过程做了原理性的分析，据此在理论上将单粒子对器件的作用进行了分类。针对阻断态、贯通烧毁的情况，给出了IGBT加固的一般思路，提出并仿真验证了多种具体的加固方法，与文献测试结果相符。

简介：美国能源部ORNL国家实验室的研究者们将一种新型合成工艺和商用电子束光刻技术结合起来,在单一纳米级厚度的半导体晶体内实现了一种随机图案的二维半导体异质结阵列。该工艺主要技术是将目前采用的单层晶体的图形区域改造成其他形态。研究者们首次在衬底上生长出了单层纳米级别厚度的MoSe2晶体,并利用标准

简介：基于Lee-Low-Pines（LLP）的幺正变换，本文采用Pekar变分法得到的基态能量和波函数及其在电场的二维量子点中强耦合极化子的第一激发态，从而构建一个双极化子的量子比特。数值结果表明时间的振荡周期T0对量子比特的减小两电子概率密度随电场强度和介质的介电常数比η；在量子比特的两电子的概率密度q呈现周期性的振荡随时间t；出现的电子在量子点中心的概率较大，而出现了由量子点中心要小得多。

简介：<正>市面上能买到的LED灯,虽然耗电量仅为白炽灯的6%,使用寿命长达5万小时以上,但动辄数十倍的售价,使LED灯无法走入百姓家。南京理工大学近日传出消息,该校取得新型二维半导体研究进展,有望制造出新型材料,大大降低LED灯生产成本,该研究成果已经在线发表在化学与材料等学科顶尖期刊

简介：在本文中，我们提出了一个稳定的单光子探测方法基于硅雪崩光电二极管（硅雪崩二极管）在盖革模式具有较大的温度变化范围内操作。通过精确的温度传感和直流（DC）电压补偿，单光子探测器可以稳定工作在盖革模式from-40°C至35C°具有几乎恒定的雪崩增益。它为单光子探测在全天候条件下的户外作业提供了一种解决方案。

简介：随着现场总线技术的不断发展,CAN总线在实际中的应用越来越广泛,这对CAN通信的可靠性提出了更高的要求。另外,用户的低压应用越来越普遍。针对这两个方面的要求设计了一款低压高可靠CAN协议芯片,通过芯片中的错误管理逻辑提高了通信的可靠性。

简介：尊敬的专家、学者：为构建一个开放的交流平台，汇集国内外优势力量，积极为天地一体化信息网络建言献策，由中国工程院信息与电子工程学部、工业和信息化部电子科学技术委员会主办，中国电子科技集团公司电子科学研究院、清华大学承办的“天地一体化信息网络”第二次高峰论坛（以下简称论坛）将于2015年9月下旬在北京召开。

简介：面对日益增加的赛博空间威胁，评估任务关键系统能否有效运转变得更加紧要。首先，介绍了任务关键系统赛博安全性的概念内涵；然后，通过系统核心能力分析，构建了综合体现系统运行与安全特征的评估指标体系，并依据指标分类给出了几种典型指标的计算／评估模型；最后，提出了一种赛博安全性评估试验方法，并结合典型场景进行了试验验证。

简介：采用Sn3.5Ag（221℃）Indium8.9T3-83.5%的焊膏,首先做了焊料的可焊性试验,随后设计了围框的密封焊试验,工艺样件由Cu80W镀金底板和柯伐镀金围框组成,在270℃恒定温度下,焊接时间2min。最后对焊接后的样件做了X-ray空洞率及焊接层面微观检测分析并测量了IMC厚度。研究结果表明：不仅Sn3.5Ag焊料的可焊性好,而且在镀金层上的致密性也好,在X光透射下柯伐镀金围框的空洞率低于5%,只是随时可能产生的小气孔会严重影响焊接的密封性。

简介：针对网络化信息系统对抗试验环境的安全性需求，从安全要素、安全属性和对抗环境3个层次给出了安全防护体系的描述框架，建立了基于多种隔离机制的对抗试验资源安全防护基础结构模型。为了实现多层次和多领域的立体防护，依据面向服务和安全域划分的基本原则，建立了适应网络化信息系统对抗试验环境的各层次安全防护系统，为安全技术开发和安全设施建设提供借鉴。

简介：<正>2015年1月28日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布用于工业电源系统的新系列中性点接地电阻—NGR系列器件。MilwaukeeResistors(VishayDaleResistors的产品线)NGR系列器件由Vishay公司的GRE1高功率、高电流栅极电阻组成,安装在耐用、耐候,具有极高电压隔离的IP23外壳里,具有高线路中性点和系统电压,工作温度可达+760℃。NGR系列电阻能方便地直接替换竞争方案,可为Y形(星形)配置的发电

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.增强其通过MIL-PRF-55342认证的E/H系列精密薄膜表面贴装电阻芯片,为重要的航天应用提供"T"级失效率。这些QPL器件经认定具有TCR特性E、H、K、L和M,有12种外形尺寸。为保证VishayDaleThinFilm电阻具有确定的可靠性,这些器件进行了100%的筛选和广泛的环境测试,包括100%的A组功率调节和B组抽样测试,通过这些测试对器件进行分级,认可达到"T"级失效率。另外,这些薄膜电阻满