简介：想必您在看我们10月刊的时候会发现这样一个很明显的问题，杂志的小版有一部分文字被遮住了！给您阅读所造成的不便，我们深感抱歉。同时，这也引起了我们的深深思考，所以我们做出了这一期的调查档案，对这一问题进行详细的分析。

简介：高空飞艇在平流层高度昼夜工作过程中,作为浮升气体的艇体内氦气受太阳能辐射以及艇外低温环境的影响,其平均温度变化范围较大。艇体内氦气平均温度的变化将导致飞艇艇体内外压差的变化,而艇体内外压差的变化是高空飞艇总体设计阶段对囊体材料选取时必须考虑的重要设计依据之一。通过高空飞艇抗热能力仿真计算与分析,指出高空飞艇的抗热能力必须在提高囊体强度的前提下才可以得到根本的提升,而加大副气囊体积对抗热能力影响不大反而将导致飞艇重量的增加。

简介：训练仿真系统需考虑自然环境仿真对兵力仿真的影响。针对高空风对飞机飞行影响，讨论了自然环境仿真对兵力仿真影响的建模问题。重点研究了高空风仿真模型、风速点计算、高空风对兵力（飞机）仿真影响以及修风计算等，介绍了计算方法并给出了在某地应用的研究结果。该项研究对构建训战一致的仿真训练环境以及提高仿真技术的综合应用水平具有指导意义。

简介：V型槽侧面耦合是目前双包层光纤抽运光耦合的方法之一。本文提出了一种二透镜光学系统的耦合模型，并利用几何光学的ABCD矩阵分析和计算了透镜焦距与激光二极管阵列（LD—Arrays），透镜，双包层光纤（DCF）三者之间间距的关系，同时通过计算确定了V型槽所开的最佳角度。通过数值模拟计算发现透镜焦距的选取在很小范围内会引起两透镜间距的剧烈变化而且激光二极管与透镜的间距以及两透镜间的间距主要取决于靠近激光二极管那个透镜的焦距大小。本文的分析和计算对V型槽侧面抽运的光学耦合系统中透镜焦距的选取以及LD，透镜，DCF三者之间间距的设置的最优化提供了理论指导。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。