简介:表面活性剂能改变溶液的表面张力,提高溶液的洗净能力。本文从表面活性剂的基本概念出发,分析清洗工艺过程中涉及的界面、表面自由能或表面张力,进而由表面活性剂的基本特性出发,介绍亲水基、疏水基、润湿性和润湿倾向,以及表面活性剂的分类等概念,并着重讨论影响表面活性剂去污作用的因素:表面活性剂的吸附性、表面活性剂胶团化能力,及表面活性剂的化学结构与洗净力。根据寻找替代ODS清洗剂的原则,提出适用的表面活性剂的条件,应用cmc、HLB分析。经研究和开发,在全水基清洗、半水基清洗中,采用非离子表面活性剂较为合适,它能更好地发挥表面活性剂的作用。文中也提出了尚有一些工艺问题需要进一步改进。
简介:磷酸酯两性表面活性剂是一种新型的两性表面活性剂,它具有多功能的特点.在清洗剂的配方中它既可以发挥表面活性剂的作用又可以发挥水溶助长剂的作用.文章对商品牌号为PhosphotericT-C6的磷酸酯两性表面活性剂的性能做了全面介绍,它在做主表面活性剂时有优异的去垢性能,在与其它表面活性剂混合使用时能提高去污效果,它还具有易冲洗的特点,它有良好的相容性和化学稳定性,所以可用在含有过氧化物或过酸等强氧化剂、强酸或强碱的清洗剂配方中,适合用于对多种基材的清洗.为介绍它优异的水溶助长性能,文章对水溶助长剂及其机理进行了介绍.文章还列举了PhosphotericT-C6各种应用的具体配方.
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。