简介:<正>VishayIntertechnology公司日前宣布推出采用小型PowerPAK1212—8封装的业界首款200V功率MOSFET器件。该器件封装的面积为3.3mm×3.3mm,高度仅为1.07mm,其在提供极为卓越的热性能的同时提供了比SO—8解决方案更小的尺寸。PowerPAK1212—8封装的功率消耗为3.8W,几乎是任何具有TSSOP—8封装尺寸或更小尺寸的MOSFET器件的两倍。该封装典型的热阻仅为1.9℃/W,而SO—8的为16℃/w。除空间节约及其高电压性能外,Si7820DN还具备240mΩ的导通电阻和12.1nC的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为—55℃~+150℃。
简介:RamanscatteringspectroscopyisappliedtoinvestigatethephononmodesinGaxIn1-xP(x=0.52)and(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)alloys.Two-modebehaviorinGaxIn1-xPandthree-modebehaviorin(AlxGa1-x)0.51In0.49Pareobserved.InorderedGaxIn1-xP,weclearlydistinguishtheTO1(GaP-like)modeandthesplittingofLO1(GaP-like)andLO2(InP-like)modes,whichisbelievedtobetheresultofsuperlatticeeffectofordering,andtheLO1+LO2mode,whichisobservedforthefirsttime.Inadditiontotheb/aratio,it'sfoundthattherelativeintensityoftheFLAandtheLO1+LO2modesalsocorrespondstothedegreeoforder.TheTO1andthesplittingofLO1andLO2devotetogethertothereductionofthe'valleydepth'.In(AlxGa1-x)0.51In0.49P,thedoublingofFLAisobserved.DuetotheinfluenceofAlcomposition,theGaP-likeLOmodebecomesashoulderoftheInP-likeLOmode.TheunresolvedRamanspectraindicatetheexistenceoforderedstructurein(AlxGa1-x)0.51In0.49Palloys.
简介:在转向无铅电子产品过程中,元件供应商可能需要支持无铅和合铅元件的双线生产。而这可能合在生产制造中引起广泛的后勤问题。全部使用无铅元件是这个问题的一个解决方法。因此,用锡铅共晶焊膏粘接的Sn-Ag—CuBGA元件的焊点可靠性需加讨论。在这篇论文中介绍了对两种无铅封装:超细间距BGA(VFBGA)和层叠式CSP(SCSP)的焊点可靠性评估结果,它们是应用锡铅共晶焊膏贴在PCB板上。而这些封装都是采用不同的回流曲线在标准的锡铅组装条件下组装的。采用合保温区或斜升区的热度曲线。回流峰值温度为208℃和222℃。组装后PCB(称为板级)进行温度循环(-40℃—125℃,每个循环30分钟)和落体实验。下面将会详细叙述失效分析。