简介:据报道,三星电子已决定成立一个独立的代工或合同芯片制造业务部门,以满足科技行业对手猛增的需求。
简介:11月3日,三星电子公布了第三代10纳米制程技术(10LPU)的最新细节。三星在今年10月中抢下业界头香、10纳米制程技术率先量产,这使其与台积电的先进制程竞赛如火如荼。
简介:韩国三星公司最近显著加大了逻辑芯片制造技术的研发力度,该公司最近成立了新的半导体研发中心,该中心将与三星现有的内存芯片制程技术研发团队一起合作,进行新半导体材料、晶体管结构以及高性能低功耗半导体技术的研发。另一方面,三星旗下的芯片厂除了正在积极准备45nm制程芯片的量产,同时作为IBM技术联盟的一员,也在积极研发下一代32nm/28nm制程技术.
简介:IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布:他们将在高k金属栅(HKMG)技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统(SoC)设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。ARM同时宣布:将利用公共平台HKMG32纳米/28纳米技术独特的特性,开发定制化的物理IP,以实现当前和未来的ARMCortex系列处理器在功耗、
简介:三星电子日前宣布,公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片,实现了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。
简介:三星近日宣布,第二代10nmFinFET工艺已经开发完成,未来争取10nm产品代工订单将如虎添翼。三星第一代10nm工艺于去年10月领先同行导入量产,目前的三星Exynos9与高通骁龙835处理器均是以第一代10nm工艺生产。
简介:奥地利微电子公司日前宣布,正为三星Galaxy智能电话系列的四种型号大批量供应智能环境光与接近传感器。
简介:据报道,三星电子将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂,占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3DNAND闪存芯片,该芯片垂直堆叠达到64层。据报道,三星已要求合作伙伴在5月底之前供应必要的芯片制造设备。
简介:2015年12月9日,韩国三星电子进行了部门重组,并宣布将新设“电装事业组”,进军智能汽车技术领域。随着苹果、谷歌和亚马逊等全球知名IT电子企业纷纷投身于新一代汽车领域,三星电子也对外表示将正式进军智能汽车电装配件领域,这引发了外界极度的关注。
简介:据国外媒体报道,从事半导体晶片和微电子系统反向还原工程及分析的Chipworks产品经理吉姆。莫里森(JimMorrison)今天确认,iPhone4S采用的A5处理器是由三星公司制造。
简介:日前,三星电子宣布从7月份开始正式量产适用于新一代高端移动设备的,具备全球最高运行速度的64GB内嵌式存储器产品。据悉,三星电子继2012年5月推出的20纳米级64GBToggleDDR2.0NAND闪存之后,
简介:近日,展讯通信有限公司宣布其HSPA/WCDMA射频(“RF”)芯片SR3100已面向三星电子供货。展讯是中国领先的2G和3G无线通信终端的核心芯片供应商之一。
简介:三星电子日前宣布,已经成功实现了20nm工艺试验芯片的流片,这也是迄今为止业内最先进的半导体制造工艺。三星电子此番利用了美国加州电子设计自动化企业CadenceDesignSystems提供的一体化数字流程RTL—to—GDSII。
简介:2017年8月8日,生益电子股份有限公司(简称:生益电子)受邀出席三星电子在韩国水原总部举行的年度优秀供应商授奖会议。生益电子获得三星电子2017年度上半年“最佳品质奖”,三星电子网络事业部全球CS总裁李正九先生出席会议,并亲自为生益电子授奖。
简介:电子信息行业是知识产权纠纷的高发领域。目前,知识产权诉讼已经突破了"权利之争"的界限,而被越来越多的企业当作商业竞争的有效手段。以闪存市场为例,上游企业围绕芯片专利争讼不断,互相挑起337调查打压竞争对手,我国生产企业因身处产业链下游而腹背受敌,频遭牵累。因此,为保证国内产业持续健康发展,企业知识产权风险处置意识和能力亟待提高。
简介:从1999年开始,三星集团的旗舰企业三星电子可谓好事不断当年,它在陷入金融危机的亚洲大企业中率先实现了扭亏为盈:2000年,它的营业总收入高达270亿美元,利润超过了53亿美元;2001年,世界品牌评价权威机构评定它的品牌价值为63.7亿美元,仅次于索尼而高居世界电子企业的第二位,在全球最佳100强品牌
简介:中国工业和信息化部2013年12月4日正式宣布发放4G牌照,中国移动、中国电信和中国联通都获得“LTE/第四代数字蜂窝移动通信业务(TD—LTE)”经营许可。工信部解读说,未来2G、3G和4G网络将长期共存,共同发展。3G网络并不会被直接淘汰,它还将在相当长的一段时间内继续为用户提供通信服务。
简介:盲孔压接区的污染问题是N+N双面盲压背板制作过程中最常见的问题。本文建立鱼骨图对盲孔压接区的破损污染问题进行了分析,找到了产生盲孔区污染的主要原因为:半固化片开槽设计、钻孔后烘板、去毛刺铜皮破损、阻焊前烘板、各工序擦花及成品酸洗,通过优化设计、工艺和制程管控来解决成品开盖前的盲孔污染问题。
简介:2010年是复苏与回落并存的一年,虽然没有大的危机,但烦恼或许更多。我们的经济社会将会在2011年呈现出怎样的模样?这是每个人都急迫的疑问,对业界人士来说,它意味着对后危机时代变革趋势和商业机会的敏锐洞察与大胆展望。
简介:MOSFET是大多数开关电源(SMPS)中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关,本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。
三星成立独立代工部门
三星电子公布第三代10纳米芯片细节
三星加大半导体制程技术研发力度
ARM、特许、IBM及三星共推32、28纳米SOC
三星开发出全球最小DRAM内存芯片速度提升10%
三星第二代1Onm工艺开发完成
三星Galaxy智能电话采用奥地利微电子光传感器
耗资136亿美元三星全球最大芯片工厂将在7月开始运营
三星电子部门重组进军智能汽车技术领域
芯片分析公司确认iPhone 4S处理器由三星制造
三星电子量产全球最高速64GB内嵌式存储器
展讯 HSPA/WCDMA射频收发器SR3100已面向三星电子供货
三星成功流片全球第一颗20nm工艺试验芯片
生益电子斩获三星2017年度上半年“最佳品质奖”
闪存涉诉“337”,下游厂商受牵连——浅析三星闪存芯片知识产权纠纷案
从三星战略看企业转型
中兴华为三星等获首批比4G入网许可
N+N双面盲压背板盲孔污染问题研究
2011年PCB产业的N个猜想
功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET