简介：VishayIntertechnology，Inc．日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7．5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7．5V下的典型电荷为31nC和22．8nC。

简介：如果您的下一个设计的电路板功耗可以降低25％N30％，甚至更多，是不是很理想？对一些设计而言，这一改善是不错的，但对其他的设计而言，如要使用最新的高性能集成电路而使设计具有竞争力，这就是必需的。为什么呢？因为新的ASIC、SoC和处理器技术都可以用一句话来概括——它们需要散热!

简介：文章分析印制板碱性蚀刻前工艺水洗残留氢氧化钠对蚀刻速度的影响及原理,实验和实践结果表明,减少或避免氢氧化钠带入碱性蚀刻液可以保持蚀刻速率的均匀性和蚀刻液的稳定。

简介：探讨了二氧化硅表面处理后在覆铜板中的优化应用、工艺条件选择以及二氧化硅对覆铜板性能的影响和改进,初步探讨了添加二氧化硅填料后的FR-4覆铜板的热膨胀系数和孔壁树脂凹缩的改善.

简介：概述了黑氧化处理的问题点，利用蚀刻的铜箔粗化和替代黑氧化处理工艺的技术动向。

简介：文章重点探讨了氢氧化铝（ATH）对覆铜板各项性能的影响及作用机理。适量的氢氧化铝能够改善产品的阻燃性,降低Z-CTE、提高产品的刚性和耐湿性等,但同时会对产品的耐热性以及耐碱性产生负面影响。

简介：通过分析对比碘酸钾氧化还原滴定和原子吸收法对退锡废水中锡含量测试效果，为线路板退锡废水测试监控提供简单、准确，可靠的分析方法。