简介：插装元件的减少以及表面贴装元件的小型化和精细化，推动了回流焊工艺的不断进步，目前已取代波峰焊成为一种主流焊接工艺一然而，并非所有的元件均适宜回流焊炉中的高温加热，在许多场合中，插装元件仍得到了较为广泛的应用，如在汽车工业中，继电器、连接器及一些在使用过程中需要承受较大机械应力的元件，仍需采用具有高结合强度的通孔型连接。常规的波峰焊可以实现插装元

简介：1引言当今市场上需要占地面积较小且又具有较高功率水平的DC／DC变换器。为了获得这样的功率密度，开关频率提高了，这使MOSFET的功率损耗增加。因而要求设计者对热阻有较好的了解，即何谓热阻?如何测量?它给设计者提供何信息?

简介：10月29日，华润上华科技有限公司（“华润上华”）与北京IC设计园在北京共同举办“华润上华与北京IC设计者共赢中国半导体应用市场研讨会”，这是华润上华举办的首届市场研讨会。到场的有百余位主要来自北京的客户、芯片设计工程师、技术合作伙伴与供应商。

简介：2017年的最后一个月,汽车市场的热点不属于任何一个耳熟能详的汽车企业,而是一些全新的汽车品牌——蔚来、威马、法拉第、零跑、小鹏、拜腾……这些新品牌的背后不再是大众、通用,也不再是丰田、本田等传统汽车巨头,而是百度、京东等一大批互联网企业,在互联网已经成功颠覆众多传统产业的当下,汽车行业会成为下一个吗？

简介：如今，电视机设备性能的个性化、融合化以及拓展化已经成为改变人们看电视习惯的几个重要趋势，而这种变化还将在未来几年愈演愈烈。

简介：如果一个数字产品能够捕捉图象或播放声音，欧胜的目标就是为之提供可以把这些性能发挥得更好的产品。

简介：电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善,来初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后十年的新发展

简介：本文首先分析了Buck变换器的工作原理，推导出Buck变换器电路参数的计算公式；然后介绍了Buck变换器的控制技术及其特点；最后在Matlab／Simulink下建立仿真模型。仿真结果验证了提高开关管的频率，可使得输出电压更平稳。

简介：AdHoc网络目前的主要应用领域仍然是军事方面。文中针对战场环境中装甲部队这一特殊移动自组网的运动特性及移动终端配置等特点，参考目前较为完善的AODV、DSR路由协议，提出了适用于装甲车自组网的路由协议MMAR（militarymobileadhocnetworkroutingprotocol），通过0PNET仿真表明：相对于军用移动环境，该协议比AODV、DSR能更有效地减少路由负载，并能显著提高端到端时延、相对路由开销和平均投递率等性能。

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

简介：以＂创新、智能、绿色＂主题的2016中国国际工业博览会（以下简称工博会）于11月1日在上海国家会展中心拉开帷幕。本届工博会为期5天,设8大专业展馆,占地规模超过17万平方米,是全球知名的制造行业盛会之一。光宝电子作为近几年变频器行业异军突起的翘楚企业,行业盛会上自然不能少了他们的身影。

简介：在Bertotti分离铁耗计算模型的基础上,结合标准正弦供电时电机损耗,推导PWM控制逆变器供电下异步电机损耗的计算模型,该模型主要体现了逆变器参数与电机损耗之间的关系。在大功率和低开关频率的铁路系统中,利用上述模型更深一步地分析与总结了恒磁通和恒功率下铁损随运行频率与逆变器参数的变化规律,着重研究了低开关频率下同步调制策略对电机铁耗的影响,以一台7.5kW的电机铁损计算为例,验证了该模型的有效性与可行性,为大功率牵引传动系统电机效率提升的研究提供了参考依据。

简介：1概述社会的发展和科学技术的进步，使人们越来越清楚地认识到发展经济与环境协调的重要性。环保型的产品和绿色、环保的生产技术，已成为当今世界保持可持续性发展的趋势。

简介：本文提出了一种电网不平衡条件下三相电压型PWM整流器的控制方法。首先,建立了三相电压型PWM整流器的数学模型,基于网侧单位功率因数及负载电压恒定的控制目标,建立了网侧电流给定方程组。其次,基于“三相不平衡abc静止坐标系”与“不平衡坐标变换”建立的dq解耦模型,采用输入-输出线性化的电流控制策略,实现了有功电流与无功电流的独立控制。仿真实验结果表明：文中所提出的控制策略是有效的。

简介：英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE（sat）IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源（UPS）以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOPtM5薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。