简介：慕尼黑上海电子展打造中国信息电子产业顶级交流平台，全球芯片厂商第三季产能利用率升至90．1％，全球智能材料市场年增长率8．6％，2010年达123亿美元，小尺寸显示器件市场升温，日本片式电感器产量约占世界总量的65％，2006年中国将成为世界第二大芯片设计中心，受全球市场影响我国集成电路产业增幅放缓，电力电子行业新兴技术“牛”势显现。

简介：英飞凌打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元英飞凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)的专家日前已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米,约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gbit的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。

简介：美国半导体产业协会董事会会议计划在北京召开；SEMI预测：封装材料市场销售将达195亿美元；Hicrochlp与BMW签订SmrtShunt技术专利许可协议；赛普拉斯PSoC器件销量突破5000万片；“飞思卡尔半导体”增资扩产项目获批……

简介：美国国家仪器公司（NationalInstruments，简称NI）最新推出的PCI版本的PXI-5922可变分辨率数字化仪（也称为基于PC的示波器）可以实现较大动态范围的测量。PXI-5922数字化仪可提供目前市场上数字化仪产品中最高的动态范围，这一具有高动态性能和灵活性的通用仪器现在正式推出PCI版本，适用于包括通讯、半导体、生化以及超音速非破坏性测试（ultrasonicnondestructivetest，NDT）的许多领域。

简介：为了低损耗开关模式电源（SMPS）结构的最佳化，硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导，并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性模式时，具有热集中的倾向。由于已发表的分析方法需要硅器件数据的支持，而这些数据常常涉及知识产权，因此向电路的设计者提供这些方法几乎是不能使用的。本文介绍了使用非知识产权的规一化的芯片面积信息作为评价在线性模式应用中的MOSFET器件适用性的客观标准。

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简介：阐述了直接转矩控制系统的发明和发展，指出其控制原理和方案的特点，特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后，对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较，指出各自的优缺点和发展方向。

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