简介：电涌保护器（SurgeprotectionDevice）是电子设备雷电防护中不可缺少的一种装置，过去常称为“避雷器”或“过电压保护器”英文简写为SPD。电涌保护器的作用是把窜入电力线、信号传输线的瞬时过电压限制在设备或系统所能承受的电压范围内，或将强大的雷电流泄流入地，保护被保护的设备或系统不受冲击而损坏。

简介：上海迪比特实业有限公司诉摩托罗拉（中国）电子有限公司、上海市百联集团股份有限公司著作权纠纷一案作出一审判决。昨日，《每日经济新闻》从上海市第二中级人民法院获悉，该院以被告摩托罗拉公司按照印刷线路版设计图生产线路板的行为不属于著作权法意义上的复制行为为由，驳回原告要求两被告停止侵权，赔偿人民币9930万元经济损失的诉讼请求。

简介：

简介：造成电子元件损坏的原因现在，电子元器件故障除静电直接放电外，附近的其他放电所产生的强电磁场也可能轻易地损坏今天的高速系统，且系统速度越快，越易受到影响。有实验表明：1～3ns的放电就可以产生强电磁场。在1ns的时间内，放电相应带宽就高达300多兆赫，因此，现代高速系统一般都采用VHF／UHF屏蔽及接地技术。

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简介：CaliforniaMicroDevices(CMDI）日前宣布推出CM1406和CM1407两款电磁干涉(EMI)过滤器阵列。这也是该公司首次推出带静电放电保护(ESD)的封装EMI过滤器阵列产品。

简介：英飞凌公司推出可节约成本的双通道全保护BTS3410G型low-side驱动器。BTS3410G采用小型DSO-8封装的双通道全保护low-side驱动器。这种双通道HITFET(高集成温度保护FET)比封装在SOT-223内的单通道器件还小，通过优化的设计减小PCB面积可以节约大量成本。它提供：low-side开关HITFET系列的所有嵌入智能和保护功能(过载，过压，过热，短路和ESD)。

简介：讨论数字信号处理器(DSP)应用于电动机智能保护装置时在A／D采样通道译码设计和开关量输出设计中出现的几个问题及其设计技巧，提出较为实用的解决方案。

简介：电气失效的后果可能是很严峻的:不仅涉及设备,而且在最坏的情况下还直接涉及到人,特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加,有关大功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功率水平日益增大的事实,更多的能量被储存在直流环节中,即使采用了有源保护,一旦电路失效条件发生之时,大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明,采用特殊的快速熔断器保护,这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中标准的快速熔断器和IGBT熔断器的附加电感。还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能通过易于维修和减少生产设备的停机时间而获得平衡的。

简介：本文介绍高压SPT、（软穿通）-IGBT器件的开关自箝位模式，并且引入一种现有短路过流保护能力以外的、器件关断过程中的过压保护特性。IGBT结构中的这种新的保护特性将为那些正在寻找可靠、经济的应用IGBT的高压解决方案的系统设计者提供一个全新的前景。

简介：本文介绍有关大面积IGT(集成门极换流晶闸管)改进安全工作区(SOA)的三个概念:优化门极电路;通过优化掺杂浓度分布和辐照来改进局部安全工作区;借助于辐照来补偿横向效应。局部SOA的优化同改进门极电路相结合,会使创记录的阻断SOA达到1MW/cm2的开关功率密度。所有三项措施结合起来,就可以使大面积IGCT安全工作区(SOA)的改进超过30%。

简介：Zetex半导体公司近日推出一款新型肖特基势垒二极管——ZLLS350。该器件在30V下的典型及最大逆向电流分别为1μA和4μA，有助延长充电器和发光二极管（LED）驱动器等多种应用系统的电池寿命。

简介：随着开发工具在处理器平台选择方面的重要性不断上升，德州仪器（TI）日前宣布推出CodeComposerStudio^TM集成开发环境（IDE）白金版，使DSP软件开发工具具备更多优异特性以及更高的稳健性。新的CCStudio白金版提供了单一的IDE，一次安装即可支持多种TI平台，并且只需花费一种平台的成本，

简介：在企业中建立工学结合的职工教育和培训体系，面向在职职工开展普遍的、持续的文化教育和技术培训，加快培养高级工和技师。

简介：2006年1月26日召开了编辑委员会。在京部分编委参加。会议由本刊新一届编辑委员会主任委员蔡宣三教授和学会秘书长周亚宁主持。

简介：瑞萨科技公司近日推出适用于工业产品和办公自动化产品的H8SX/1582F型单片微控制器。与H8SCPU芯核相比,H8SX32位CPU芯核增加了寻址方式和新的指令,而且ROM存储器代码的效率提高了将近20%。H8SX/1582F采用5V单

简介：日前，北京落水源公司推出了一款工作频率可达200kHz的IGBT驱动器——KB102。该器件具备变压器信号耦合，延迟小；可接收单片机信号幅值范围为4．57V。对于IGBT或MOSFET短路时的集射极电压闽他的设定，KB102可用电阻精州调节，不必用传统的稳压管。

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简介：霍尔电流传感器是当今电子测量领域中应用最多的传感器之一，广泛应用于电力、电子、交流变频调速、逆变装置、电子测量和开关电源等诸多领域，可完全替代传统的互感器和分流器，并具有精度高、线性好、频带宽、响应快、过载能力强和不损失测量电路能量等优点。文中着重介绍了LEM公司生产的磁平衡式霍尔检零电流传感器的性能、特点、工作原理和应用注意事项，给出了该传感器几种典型应用举例。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。