简介:ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC
简介:医疗仪器、焊机和等离子切割机用电源的市场在不断扩大,这些设备工作在20~50kHZ或更高的高频范围。本文讲述了近来开发的、用于这一高频领域的IGBT模块的设计理念。由于在这些应用中工作频段为高频范围,因此器件的开关损耗(开通、关断以及反向恢复损耗)是主要的功耗。通过降低背P+层载流子密度(注**-见正文),减小IGBT芯片中元胞的重复步距,并优化IGBT/FWD通态电压与开关损耗之间的折衷关系,可以得到更低的开关损耗。因而,这种新开发的IGBT模块的总功耗比标准IGBT模块(第5代系列)降低了25%。使用这种模块,能进一步提高效率、实现系统的小型化。
简介:这里设计了一种基于采用串并联处理观点的新型UPS(不间断电源)。不像传统的串并联电路,传统的电路中变压器调节源电压;而这种新的方法允许不使用串联变压器而对电源电压调节。它还高效,不仅体积和重量小,并且转换效率也改进了。我们命名它双重转换方法,而且我们现在正在向把它应用于IA服务器系统的发展方向工作。测试模型的下列性能并不次于全时逆变器UPS,包含以下指标:电源电压范围;±25%或者±20%,电源中断转换时间;0ms,输出电压精度;±3%,此外,转换效率95%,比全时逆变器UPS高5%,完成了700VA/350W单机型。设备的损失很小。因为绝缘的串联变压器没有使用工频,处于工业世界一流的1U和2U的高度只有了19英寸,容量分别为1400VA和3000VA。
简介:出两个完全相同的独立的buck—boost斩波器,输入并联,输出串联构戚一个DC/AC逆变器,该逆变器实现了单级功率变换,双向功率流,与传统的两级式逆变器相比,具有拓扑结构简单,同时工作的开关元件少,功率密度大,变换效率高等优点。但由于两个斩波器的输出电压要求在较宽范围内变动,故其控制方法和单独的buck-boost斩渡器有所不同,本文对该电路的工作原理和控制方法进行了详细的分析,针对输出电压范围宽的特点,提出了改进的电流控制法,该控制方法采用附加扰动补偿的前馈控制和反馈控制相结合,使两个斩波器的输出电压和逆变器的输出电压都能得到准确的控制,对外界变化能作出快速准确地反应,提高了逆变器对输入电压和负载变化的响应能力。