简介:近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
简介:为了低损耗开关模式电源(SMPS)结构的最佳化,硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导,并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性模式时,具有热集中的倾向。由于已发表的分析方法需要硅器件数据的支持,而这些数据常常涉及知识产权,因此向电路的设计者提供这些方法几乎是不能使用的。本文介绍了使用非知识产权的规一化的芯片面积信息作为评价在线性模式应用中的MOSFET器件适用性的客观标准。
简介:
沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小优值FoM
评价功率MOSFETs热稳定性的客观标准
表面贴装IC的无铅化技术及其可靠性评价