简介：研发了3.3kV高速IGBT模块。优化寿命控制极大降低了关断损耗和恢复损耗。该高速特性适用于双向和中频应用,例如谐振DC/DC转换器。展示了谐振DC/DC转换器模拟电路中IGBT的开关行为和二极管的反向恢复行为。显然,这种新设计的模块具有比传统高速模块更低的损耗,因此更适合与双向和中频应用。该设计概念也可用于6.5kVIGBT模块设计。另外,对谐振DC/DC转换器模拟电路,将新设计模块中二极管的损耗与3kV-SiC-JBS损耗做了比较。

简介：本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理，分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响，以及结构参数之间的相互制约关系。对6．5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化，给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管的制作工艺，样品测试结果表明，6．5kV非对称型晶闸管的设计参数和制作工艺方案是合理可行的。

简介：光纤技术的局限性不在于其高压绝缘性能，而是其抗振动及耐温性能。射频（RF）无线线路能够满足这些性能。本文将研究该技术在触发1.8kV高压1GBT中的应用。

简介：采用反相方法测试台架在实际工作条件下,对ABB公司提供的实验性3.3kVIGCT进行了特性测定。这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小,开关损耗也降低了。这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世,它们可以用于较高开关频率(超过1kHz)和大电流工况,以改善大功率变换器的性能。

简介：从近日召开的西南六省区经济协调会第20次会议上获悉，800kV云广特高压直流输电工程项目日前已经通过有关部门审查，计划于2007年开工建设，2009年建成。工程建成后将使云南澜沧江小湾、金安桥水电站等“西电东送”能源基地与广东相连接，其输电容量达500万kW。

简介：介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT由于其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折中平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都是基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计同二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。

简介：本文介绍了微能8000kW／10kV超大容量高压变频调速系统在河北某公司炼铁高炉鼓风机节能改造的应用情况，同时分析了高炉鼓风机的工艺及可靠性要求，为高压变频器在炼铁高炉鼓风机上的应用提供了应用经验。

简介：2005年7月1日，在阳坊生产基地中心实验室由总工办组织了2240kw／6kV功率模块小型化项目的评审会。公司领导张少青和研发、品质、工艺、生产等部门领导应邀参加了本次评审会。在会上，参会人员对此项目进行了热烈的研究和讨论，给与了充分的肯定，最终顺利通过评审，