简介:研究了辐照对4H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入损伤后电学参数的漂移.仿真结果表明,不同区域的损伤会造成器件电学参数不同的退化.器件JFET区的非电离损伤会使器件的导通电阻增大,而靠近碰撞电离中心的非电离损伤会使器件的击穿电压增大.辐照在器件界面处引入的正电荷或负电荷同样会对器件的电学参数带来很大的影响.沟道上方SiC/SiO2界面处的正电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压降低,而终端区主结上方的SiC/Metal界面处的正电荷只会导致击穿电压的降低.相反,沟道上方SiC/SiO2界面处的负电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压增加.
简介:在科学社会主义发展史上,社会主义社会矛盾在很长时期内一直是悬而未解的重大课题。到20世纪50年代中期,中国共产党才在马克思主义与中国实际“第二次结合”过程中,提出了包括社会主要矛盾在内的社会主义社会矛盾学说,创造性地丰富和发展了马克思主义社会矛盾思想。然而,由于受“左”倾思想的影响而没有在实践中坚持下来,使社会主义遭遇了重大的挫折。改革开放后,在实事求是思想指导下,十一届六中全会对我国社会主要矛盾作出新的规定和表述,使党的工作重心回到经济建设的轨道上来,社会主义重新焕发出生机活力。2017年,党的十九大又根据中国社会主要矛盾的新变化作出新的判断,与时俱进地推动了社会主要矛盾思想的发展。在新时代的历史语境下,深度考查中国共产党社会主义社会主要矛盾思想的变迁历程,对科学地解决社会主要矛盾、避免重蹈急功近利的覆辙都具有重要的借鉴意义。