简介:通过对△^pn与△^pn(A)两类复杂性语言中的多项式图灵完全集之间关系的研究,证明了L^pn、H^pn等计算复杂性语言类的递归可表示性。
简介:基于工程教育国际化时代背景,借鉴国内外当前一些先进的工程教育理念,针对我国工程教育现状,结合国情,构建了A-H-CDIO人才培养模式和三角网状课程体系,以及相应的质量保障体系,提出了工程教育师资建设新思路,并设想了构建学制贯通的渗透式全国工程教育体系的粗浅方案.
简介:合成了一种未见报道的标题化合物((C5N2H6)3(C5N2H7)3[(PO4)Mo12O36]·2H2O,Mr=2403.00)并得到单晶,晶体衍射实验发现其属于单斜晶系,P2(1)/n空间群,晶体学参数:a=13.316(3),b=22.414(5),c=20.063(4),α=90.00(4)°,β=100.743(3)°,γ=90.00°,V=5883(2)3,Z=4,Dc=2.713Mg/m3,μ(MoKα)=2.608mm-1,F000=4604,最终R=0.0596,wR=0.1345,GoF=1.042.配体由由簇阴离子[(PO4)Mo12O36]3-之间通过端基氧与2-氨基吡啶形成氢键而相互连接,中间填充了一些水分子及2-氨基吡啶.
简介:研究了辐照对4H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入损伤后电学参数的漂移.仿真结果表明,不同区域的损伤会造成器件电学参数不同的退化.器件JFET区的非电离损伤会使器件的导通电阻增大,而靠近碰撞电离中心的非电离损伤会使器件的击穿电压增大.辐照在器件界面处引入的正电荷或负电荷同样会对器件的电学参数带来很大的影响.沟道上方SiC/SiO2界面处的正电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压降低,而终端区主结上方的SiC/Metal界面处的正电荷只会导致击穿电压的降低.相反,沟道上方SiC/SiO2界面处的负电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压增加.
简介:自2008级大学新生开始,我国高校的学生群体出现了“分水岭”式的变化,“90后”将逐渐成为大学校园的学生主体。“90后”一代是中国经济快速发展、社会转型背景下的独特产物,是大时代造就的综合体,他们的思想行为既受中华民族传统文化的影响,又集中体现着中西方文化的冲突与融合。“90后”具有明显的个人本位倾向,但同时具有高度的集体主义观念;既受实用主义观念的影响,也有较强的社会责任感和担纲意识;他们独立自主、做事有目标、有规划,有较高的自我预期。“90后”大学生所具有的这些看似矛盾的思想行为特征,对高校的学生工作特别是思想政治教育工作提出了与以往不同的挑战和要求。