简介:采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺,在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法,在器件的电流、电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应。
简介:利用Melnikov方法分析了含有5次方恢复系数项的Ф-Duffing-VanderPol振子系统在单势阱参数条件下产生Smale意义下混沌的必要条件。通过Poincare截面图、分岔图、Lyapunov指数谱等理论和数值方法,阐明了系统运动在单势阱参数下随周期激励信号变化的动态特性、复杂性和系统的非线性特征。最后,对单势阱参数条件下的中Ф^6-DVP振子的混沌自同步进行了进一步的研究,得到了很好的混沌同步控制结果。