简介:利用室温光致荧光谱(PL)研究金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法中温度参数对InP衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As层和InP层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As层和InP层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2个数量级.
简介:TH949.296031901形心测量跟踪电视系统=CentroidmeasurementandtrackingTVsystem[刊,中]/于前洋,黄廉卿,刘洵,张渤琳,刘丽琴(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))//光学精密工程.-1995,3(5).-38-43论述了形心测量跟踪电视系统的构成、工作原理、关键技术及实用结果。图4表2参3(任延同)TN141.3396031902谈谈黑白显像管的光栅暗角=SuperficialviewonthegratingdarkcornerofB/Wpicturetubes[刊,中]/李臻峰(华东电子管厂.江苏,南京(210028))//光电技术.-1995,36(3).-48-51