简介：报道了波长可调谐增益开关中红外2．8μm脉冲光纤激光器。采用脉冲975nm半导体激光器泵浦高掺Er：ZBLAN双包层光纤，以闪耀光栅为谐振腔反馈元件，获得了波长可调谐增益开关中红外脉冲光纤激光输出。激光器工作频率为1～10kHz，波长调谐范围为2．703-2．819μm。在泵浦源重频10kHz条件下，激光器最大平均功率为110mw，最小脉宽为661．2ns，峰值功率为16．5W，斜率效率达28．6％。

简介：实现了X型腔全固态端面泵浦Cr:LiSAF激光器的高效率输出和宽谱调谐。斜效率最高为33.3%，在吸收泵浦功率为650mW时，输出功率最高达160mW。在谐振腔内插入双折射滤光片（BF)调谐，调谐范围达787.952nm。测量了激光器的光谱、光束质量等，分析了激光器效率和调谐范围的限制因素。研究表明，X型腔全固态端面泵浦的Cr:LiSAF激光器可以实现高效的近红外宽谱调谐输出。

简介：通过在谐振腔内插入窄带滤光片,开展了XeF（C-A）蓝绿激光窄线宽输出实验研究。研究结果表明,采用该方法,可以获得焦耳量级能量、线宽小于2nm、波长稳定的激光输出,激光最窄线宽为1.3nm。增大滤光片与谐振腔光轴的入射角,激光器输出能量降低。

简介：分析了基于同轴静磁波荡器的自由电子激光中,电子束电流对辐射频率、辐射功率和所需的束波互作用腔长度等参数的影响规律,研究了该类型自由电子激光中的电子束平均半径、波荡器磁感应强度等参数的选取原则,分析了束波互作用腔及其输出结构的设计方法。设计了辐射频率为107GHz的基于同轴静磁波荡器的自由电子激光,获得了辐射功率为35MW的TE01模。

简介：对掺铥光纤在1550nm波段的可饱和吸收特性进行了理论模拟。通过对铒离子和铥离子与饱和吸收特性相关的能级跃迁过程的研究，描述了铥离子的3H6→3F4能级跃迁的被动调Q机理。在100mw，980nm激光器泵浦下，掺铒光纤激光器被动调Q重频为26．9kHz，表明使用掺铥光纤作为可饱和吸收体，可以实现对掺铒光纤激光器的高重频调Q。

简介：针对光纤技术发展对专业人才培养及其相关课程教学提出的适应性要求,结合武汉理工大学光电信息科学与工程＂专业综合改革试点＂项目实践,构建了＂一基础、两应用、三拓展＂的光纤课程体系及相应的多元化实验实践支撑平台,注重学生光纤基础知识和基本理论的学习,强化了光纤技术应用能力的培养,突显了光电信息科学与工程专业办学特色。此外,探讨了光纤系列课程教学内容的组织、教学方法及辅助教学手段的应用以及实践环节的开展等内容,提出了适应人才培养的相关建议和设想。

简介：为检查强辐射环境下无人值守远程数采的工作状态,根据半导体激光二极管直接调制原理,设计了控制指令通过光纤传输的实时监控系统。该系统可同时产生幅度分散性小于0.5%、时间分散性小于50ps的四路标准信号和四路触发信号,标准信号与触发信号时间间隔晃动小于1ns,可同时对四通道无人值守远程数采的工作状态及数据传输链路进行实时检查。

简介：为了测量高能激光参数，基于石英晶体微天平测量高能激光功率或者能量的思路，搭建了石英晶体微天平测量系统，分别针对短时间（25ms到2$)激光辐照和长时间（20$以上）激光辐照以及石英晶体谐振器耐辐照能力开展了实验研究，并对实验结果进行了初步分析。实验结果表明，石英晶体谐振器受激光辐照时，谐振频率首先线性增加，然后趋于稳定。频率增加过程中，频率变化量与入射激光能量成正比；长时间辐照后频率趋于稳定，谐振频率相对于辐照前的变化量与入射激光功率成正比。测量系统最小可分辨的能量在7mJ以下，最小可分辨的功率在80mW以下，耐受激光功率密度不小于2.3kW*cm^，辐照时间不小于60s。分析认为，石英晶体谐振器受激光辐照后，谐振频率发生变化与辐照后晶体内部温度场和应力场的变化有关。

简介：在未采取预电离措施的情况下，研究了纯sf6气体及sf6/h29sf6/c2h6两种混合气体激光介质脉冲放电特性。实验结果表明，无预电离时SF68其混合气体介质可以实现自引发体放电，气体介质体放电维持电压主要由SF,;含量决定，C2H6具有抑制电弧的作用，可以有效延长体放电维持时间。分析认为，sf66体高折合场强E/P导致的放电通道电流密度受限和高电负度■引起的放电通道中负离子分解产生二次电子，是介质实现自引发体放电的重要机理。

简介：利用5V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及8路3级驱动电路，逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号，再经过次级驱动电路，提升为8路中高压驱动信号，加速输出级开关，产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12V，输出电压为50～-200V，输出脉冲前后沿均为1．5ns，输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节，可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时，最大重频为3．3MHz，固有延迟为50ns，触发晃动小于0．2ns，体积为86mm×43mm×23mm。

简介：从能量守恒出发,将热解吸收的能量隐含于材料等效热容中,建立了连续激光辐照下碳纤维环氧树脂复合材料热响应的三维计算模型。在考虑辐射换热和表面对流换热的影响下,利用该模型计算了连续激光辐照下碳纤维环氧树脂复合材料的温度场和热解质量损失,并与实验结果进行了比较,两者比较吻合。结果表明：氮气流保护可以有效地抑制氧化效应,但实验中氧化过程不可避免;随激光辐照时间增大,试样质量损失逐渐增大,在长时间辐照下氧化带来的额外质量损失逐渐显现;在低功率密度下,试样以热解为主,质量损失随功率密度增大而增大,但随着功率密度升高,氧化的影响逐渐增强。

简介：基于计算机串口通信和功率型金属氧化物半导体场效应晶体管，设计研制了程控产生单次快前沿负高压脉冲的信号发生器。其性能指标为高压脉冲幅度一100～-1000V，脉冲宽度40ns～2μs，脉冲前沿随脉冲幅度和宽度变化，可小于30ns，输出负载为50Ω作为一种模拟源，该高压脉冲信号发生器已用于小功率气体放电管的高压保护特性实验研究中。

简介：《传感器原理与应用》是我校电子信息工程、通信工程、机械设计制造及其自动化等专业一门重要的专业技术基础课,在专业课程体系中起到承上启下的重要作用,也对学生专业素质的培养起着至关重要的作用。针对该课程的特点和我校学生的实际情况,从理论教学内容、教学方法与手段、实验教学、课程网站等方面对该课程进行了系统全面的改革与建设,进一步培养提高了我校学生对该课程的学习兴趣和积极性,以及解决实际问题的能力和创新能力,进而提高了该课程的教学效果和质量。

简介：为了分析电流型CdZnTe（CZT）探测器的脉冲线性,利用CZT探测器测量得到了脉冲宽度为50ns的脉冲X射线响应曲线,采用波形时间积分法分析了其线性特性。结果表明,以波形时间积分为测量目标量,当X射线照射量在0.160-0.826mR范围时,在10%的不确定度范围内,样品探测器可作为线性测量系统的探测器件;以幅值为测量目标量,工作电压为400V时,在5%的不确定度范围内,样品探测器可作为线性测量系统的探测器件。

简介：阐述了20kV固态Marx脉冲调制器的设计原理、结构特点及驱动控制方法。该系统由8级模块串联而成，每级模块的储能电容、高压充电和固态开关驱动供电均采用高压硅堆隔离，Marx模块采用两只独立控制的高压绝缘栅双极型晶体管（insulatedgatebipolartran-Sstor，IGBT)对模块的储能电容实现充电和放电。IGBT驱动电路采用高压硅堆隔离供电、光纤传输触发脉冲和高性能IGBT驱动模块TD350设计构成。驱动电路具备完善的欠压、过流和过压保护功能。Marx模块采用插拔式结构，维护快捷简便。脉冲源在无强化散热措施条件下，输出方形高压脉冲幅度大于20kV，脉冲宽度为10ps，脉冲前后沿均为300ns，重复频率可达1kHz。

简介：热电阻与热电偶是常用的测温元件。测量瞬态高温时,由于传感器自身的热惯性,测量结果与真实结果之间存在很大的动态误差,减小动态误差有重要意义。文中主要分析了热电阻与热电偶温度传感器的测温原理,以及封装结构对温度传感器响应时间的影响,并建立裸露敏感元件热传导温度的数学模型,从理论上分析影响温度传感器响应时间的主要因素,并对其加以改进达到实验所需要求。

简介：利用CST电磁场仿真软件研究了金属开口谐振环结构在太赫兹波段的滤波特性以及磁场分布。结果表明,开口环结构的几何参量对太赫兹滤波峰的位置及峰宽有显著影响。周期大小对共振峰频谱宽度影响较大,金属宽度变小,滤波峰会发生“红移”,开口宽度变小,滤波峰也会产生“红移”。

简介：液体折射率是反映液体浓度、温度等特性的重要性能参数,因而可通过测量其折射率来获得液体其它相关参数。本文采用去除包层的弯曲光纤,以待测液体作为光纤包层,设计了一种液体折射率传感器,并制备了该传感器,对其进行了实验测试,获得了较为满意的实验结果。该液体折射率传感器结构紧凑、易于制作、费用低,在实时、远程检测方面具有突出优势,故在医药化工、医学诊断、食品安全以及环境监控等诸多领域中具有广阔应用前景。

简介：基于高帧频CMOS图像传感器，设计了低延迟触发曝光逻辑、CMOS图像传感器数据实时解码逻辑和10Gb·S-1高速光纤传输接口，研制了一种高实时远程图像采集系统。该系统的空间分辨率为1280×1024，支持2×2binning工作模式，数字量化精度为12bit，触发曝光延迟小于75ns，远程图像采集的时间最短可达0．6ms，实现了图像传感器数据的实时处理、传输和缓存，保证了系统远程图像采集的高实时性。

简介：介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。