简介：目的：探索1T-MoS2（多型结构的二硫化钼）的除汞机制。方法：1.采用密度泛函理论（DFT）分析Hg~0在1T-MoS_2单层上的吸附机理。2.考察1T-MoS_2的不同吸附位置。3.对不同的吸附构型,研究电子吸附前后的变化,从而进一步了解吸附过程。结论：1.化学吸附是Hg原子与1T-MoS_2单层吸附的主导因素。同时,在所有可能的吸附位置中,T_（Mo）（在钼原子上方）的位置是最强烈的吸附构型。2.汞（Hg）原子在1T-MoS_2单层上的吸附受邻近的硫（S）和钼（Mo）原子的影响。3.吸附的汞（Hg）原子在1T-MoS_2的Tmo位置上会被氧化,其吸附能为-1.091eV。4.从局部态密度（PDOS）分析来看,Hg原子和1T-MoS_2表面之间的相互作用是由汞（Hg）原子的d轨道与硫（S）原子的s轨道及钼（Mo）原子的p轨道和d轨道重叠所致。
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