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203 个结果
  • 简介:我刊副主编王建国研究员及其学生陈娟和许宁合著专著《弱条件稳定时域有限差分方法》已由科学出版社于2016年3月出版。该书主要介绍时域有限差分方法各种快速算法,包括双向弱条件稳定FDTD方法、单向弱条件稳定FDTD方法和无条件稳定FDTD方法,具体内容包括:各种方法公式推导、时间稳定性条件证明、数值色散误差分析、连接边界和吸收边界设置以及各种方法在圆柱坐标、旋转对称坐标、色散媒质和周期结构中应用,书中对各种方法计算精度、计算效率和内存需求进行了详细比较,采用了大量数值算例对算法进行了验证。

  • 标签: 条件稳定 新书介绍 陈娟 速算法 色散媒质 周期结构
  • 简介:利用PASCO公司生产磁场传感器运动传感器,设计了结合位移变化磁场测定装置,该装置中添加了自行设计反射板,使该装置可以在一定距离范围内连续实时测量某一区域内磁场分布情况,并成功将该套装置应用到红豆生长磁场生物效应实验中.利用该装置测量了红豆生长培养槽中磁场分布情况,研究了红豆处于该种特定磁场环境中,从发芽到生长7天植株生长情况,研究结果表明磁场场强处于1.5-2.5Gs(约3-5倍地磁场强度)时,磁场对红豆生长起到了促进作用.

  • 标签: 磁场测定 生物效应 红豆
  • 简介:菲涅耳公式阐述了光在两种不同透明介质分界面上,发生反射和折射现象时,反射光、折射光振幅变化规律。本文通过对菲涅尔公式变形处理,得到了表达形式,并且应用Matlab软件进行了数值模拟,使菲涅耳公式物理意义更清晰明了。

  • 标签: 菲涅耳公式 公式变形 数值模拟
  • 简介:利用MCNP程序计算了不同燃耗下脉冲堆调节棒微分价值,采用周期法实验测量了调节棒微分价值,对比了在不同燃耗下脉冲堆调节棒微分价值实验值和理论计算值。结果表明:随着脉冲堆燃耗加深,调节棒在高度200mm以下微分价值变化不明显,在高度200.390mm时,燃耗越深,微分价值越大,理论值实验值符合很好。

  • 标签: 西安脉冲反应堆 燃耗 微分价值 MCNP
  • 简介:采用动力学共振法测量不同管径金属管共振频率,运用origin软件对实验数据进行二次函数拟合,代入管状材料杨氏模量计算公式得到试样杨氏模量。通过加热控温设备改变金属管温度,研究金属管杨氏模量温度关系。实验结果表明金属管杨氏模量大小温度成线性关系

  • 标签: 杨氏模量 金属管 温度 动力学共振法
  • 简介:大学物理实验是理工科各专业一门非常重要基础课,不仅训练学生实践能力,而且随着大学生创新能力提升要求,在培养科学思维上也非常关键,为后续各种实验课、毕业设计等奠定了良好基础。本文分析了在大学物理实验课程中引入科研思维培养重要性、可行性,以及提出了在课程中构建科研思维思路,并进行了初步实践,为大学物理实验教学改革提供了一种思路。

  • 标签: 大学物理实验 科研思维 创新 教学改革
  • 简介:针对初中物理探究凸透镜成像规律实验一些问题进行改进。通过改进实验装置,利用容易测量物体本身大小高亮度发光数码显示管代替蜡烛,使成像稳定而容易得到清晰像;对光屏增加二维坐标刻度,使在实验过程中很容易测量判断像物体大小,对此进行比较,得出像大小性质;增加刻度尺,准确测量物距和像距,使实验误差减小:通过改变探究方法,给学生更多探索思考空间,让学生通过更多探索、观察、分析和思考,应用实验现象和数据总结、归纳出物理规律。

  • 标签: 凸透镜成像 装置 探究方法 改进
  • 简介:选用aug-cc-pVTZaug-cc-pVQZ基组对不同H2-H2位形进行了量子化学计算,外推出了氢分子间各向异性ab-initio作用势。依据实验数据确定出氢分子相互作用5-体模型,在全局最优算法基础上拟合出了包含电四极矩项、多体极化作用项三体关联项等在内氢分子间各向异性作用势。结果验证了拟合势ab-initio势能曲线几乎重合,两者偏差落在(-1.35K,1.29K)范围内;得出氢分子第二维里系数实验结果一致。

  • 标签: 氢分子 各向异性作用势 从头计算
  • 简介:在分光计相关实验基础上,借助汞灯和钠灯光源实践了光谱定标和波长测量等基本光谱分析方法,通过进一步研究棱镜色散曲线确定了实验所用棱镜制作材料。

  • 标签: 分光计 光谱 色散曲线
  • 简介:通过牛顿粘滞定律和修正后伯努利方程对非水平直圆管中黏性流体作层流运动时流量公式进行了推导。指出将泊肃叶公式中压强视作广义压强,则文中推导公式泊肃叶公式完全一致。说明泊肃叶公式可以用来求解非水平直圆管中黏性流体作层流运动时流量。本文通过实验验证了推导公式。

  • 标签: 粘性流体 层流 流量公式推导 实验验证
  • 简介:74LS148是一种带扩展功能8-3线优先编码器,将多片74LS148集成8-3线优先编码器级联构成不同编码器,能够灵活、有效扩大编码器使用范围。不同74LS148进行级联时,任何时候只对其中优先级别最高输入信号进行编码,编码器工作状态由使能输入端决定。

  • 标签: 编码器 级联 输入端 输出端 优先
  • 简介:目的:对柴油机Urea.SCR系统还原剂添加过程进行建模,探讨SCR系统中尿素结晶主要影响因素,研究排气温度、流量和尿素水溶液喷射速率等对结晶成分、位置和总结晶量作用规律。创新点:1.考虑喷雾和壁膜内尿素热解过程差异,分别采用尿素直接分解和化学反应动力学方法对喷雾和壁膜内尿素热解过程进行描述;2.提出一维壁膜概念,将尿素热解化学反应动力学模型嵌入一维壁膜中,实现对结晶成分、位置和总结晶量计算。方法:1.采用欧拉方法求解气相流动以及拉格朗同方法跟踪喷雾运动,通过附加源项方式实现气液两相之间耦合;2.对尿素水溶液喷雾蒸发、热解、碰壁和结晶等过程进行建模,对仿真结果进行验证;3.对SCR系统中尿素结晶进行仿真分析,对排气温度、流量和尿素水溶液喷射速率等影响因素进行变参数研究。结论:1.排气温度降低可以减小壁膜范围以及结晶量;结晶成分温度密切相关:当温度较低时,结晶以尿素为主,随着温度升高,缩二脲和三聚氰酸开始逐渐形成;2.尿素水溶液喷射速率会影响壁膜范围以及结晶量,但对结晶成分影响不大;3.排气流量增大能够促进排气液滴以及排气管壁之间传热,从而减小壁膜范围以及结晶量。

  • 标签: 选择性催化还原系统(SCR) 两相流 壁膜 结晶成分 一维模型
  • 简介:针对加速器驱动次临界系统(acceleratordrivensubcriticalsystem,ADS)堆芯内快中子份额大、多核素共振现象较强、液态铅锯(Pb-Bi)合金冷却剂中子增殖特点,开发了一套用于ADS燃耗分析MCNP多群数据库制作程序。基于最新ENDF/B-1.1和JENDL40评价库,制作了30群阶数据库,对影响MCNP多群计算精度能群结构、散射角分布、(n,2n)和(n,3n)反应截面进行了敏感性研究,利用快谱基准装置和ADS堆芯模型进行了验证。结果表明,制作多群数据库达到了较高计算精度,计算效率较连续能量点截面MCNP程序提高1.3倍。

  • 标签: 加速器驱动次临界系统 MCNP 多群数据库 敏感性
  • 简介:给出了复杂电磁环境下,提高测量磁场强度信噪比方法,采用多环线圈提高测量探头灵敏度,从罗氏线圈测量磁场强度基本原理出发,推导出了由测量结果还原出待测磁场强度一般公式,给出了由待测信号基本特征确定线圈最佳环数估算方法。将该测量方法应用于“闪光二号”进行实验中,测量结果与数值计算结果吻合较好。

  • 标签: 磁场强度测量 信噪比 罗氏线圈 灵敏度
  • 简介:在未采取预电离措施情况下,研究了纯sf6气体sf6/h29sf6/c2h6两种混合气体激光介质脉冲放电特性。实验结果表明,无预电离时SF68混合气体介质可以实现自引发体放电,气体介质体放电维持电压主要由SF,;含量决定,C2H6具有抑制电弧作用,可以有效延长体放电维持时间。分析认为,sf66体高折合场强E/P导致放电通道电流密度受限和高电负度■引起放电通道中负离子分解产生二次电子,是介质实现自引发体放电重要机理。

  • 标签: HF激光 自引发 体放电 电弧放电
  • 简介:以“闪光二号”加速器硬X射线为辐照源,对腔体内系统电磁脉冲(systemgeneratedelectromagneticpulse,SGEMP)磁场环境验证方法进行了研究。根据测量“闪光二号”二极管电压、电流,模拟了发射电子束能谱参数;结合辐射靶物理设计,建立了二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,模拟了轫致辐射X射线场参数;采用时域有限差分(finitedifferencetimedomainmethod,FDTD)和粒子模拟(particleincell,PIC)方法,模拟了该射线环境腔体SGEMP磁场环境;将轫致辐射X射线参数腔体SGEMP磁场环境模拟结果与实验结果进行了比较。结果表明:从X射线源参数模拟开始腔体内SGEMP数值模拟计算模型实验验证方法是合理可行

  • 标签: 闪光二号 系统电磁脉冲 粒子输运 粒子模拟 验证
  • 简介:AnewlayeredCu-basedoxychalcogenideBa3Fe2O5Cu2S2hasbeensynthesizedanditsmagneticandelectronicpropertieswererevealed.Ba3Fe2O5Cu2S2isbuiltupbyalternativelystacking[Cu2S2]2-layersandironperovskiteoxide[(FeO2)(BaO)(FeO2)]2-layersalongthecaxisthatareseparatedbybariumionswithFe3+fivefoldcoordinatedbyasquare-pyramidalarrangementofoxygen.Fromthebondvalencearguments,weinferredthatinlayeredCuCh-based(Ch=S,Se,Te)compoundsthe+3cationinperovskiteoxidesheetprefersasquarepyramidalsite,whilethelowervalencecationprefersthesquareplanarsites.Thestudiesonsusceptibility,transport,andopticalreflectivityindicatethatBa3Fe2O5Cu2S2isanantiferromagneticsemiconductorwithaNe′eltemperatureof121Kandanopticalbandgapof1.03eV.Themeasurementofheatcapacityfrom10Ktoroomtemperatureshowsnoanomalyat121K.TheDebyetemperatureisdeterminedtobe113K.TheoreticalcalculationsindicatethattheconductionbandminimumispredominantlycontributedbyO2pand3dstatesofFeionsthatantiferromagneticallyarrangedinFeO2layers.TheFe3dstatesarelocatedatlowerenergyandresultinanarrowbandgapincomparisonwiththatoftheisostructuralSr3Sc2O5Cu2S2.

  • 标签: 钙钛矿型氧化物 铁磁半导体 光学带隙 德拜温度 电子性质 阳离子
  • 简介:讨论了运动相对性选择参考系之间关系。对运动描述是相对,描述物体运动必须选择参考系。选择参考系实质是比较被观测物体运动参考系差别,因此在不同参考系中对运动过程描述是不一样。任何运动参量测量值都必须有明确参考系。在运动学研究中,可以选择任何物体作为参考系。牛顿运动定律只在惯性参考系中成立,因此在动力学研究中,必须选择地球或相对地球做匀速直线运动物体作为参考系。

  • 标签: 相对运动 坐标系 参照物
  • 简介:基于第一性原理,计算了MgSiP2能带结构,结果显示压强减小了能带带隙值,部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示:随着压强增大,价带顶电子态密度斜率逐渐减小,而导带底电子态密度斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论,分别计算了p型和《型MgSiP2电导率弛豫时间比值、赛贝克系数以及功率因子弛豫时间比值。结果发现:压强所致部分电子有效质量减小,提高了p型和.型MgSiP2电导率,但在一定程度上降低了MgSiP2赛贝克系数。在压强作用下,相对于n型MgSiP2,,型MgSiP2电导率增加幅度更大,补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数降低,提高了型MgSiP2功率因子,使其大于n型MgSiP2对应值。计算结果表明,通过增大压强可以提高p型MgSiP2热电性能,为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。

  • 标签: MgSiP2 电子结构 热电性能 第一性原理计算
  • 简介:Inthisarticle,theSm-dopingsinglecrystalsCa1-xSmxFe2As2(x=00.2)werepreparedbytheCaAsfluxmethod,andfollowedbyarapidquenchingtreatmentafterthehightemperaturegrowth.Thesampleswerecharacterizedbystructural,resistive,andmagneticmeasurements.ThesuccessfulSm-substitutionwasrevealedbythereductionofthelatticeparameterc,duetothesmallerionicradiusofSm3+thanCa2+.SuperconductivitywasobservedinallsampleswithonsetTcvaryingfrom27Kto44KuponSm-doping.ThecoexistenceofacollapsedphasetransitionandthesuperconductingtransitionwasfoundforthelowerSm-dopingsamples.ZeroresistivityandsubstantialsuperconductingvolumefractiononlyhappeninhigherSm-dopingcrystalswiththenominalx>0.10.Thedopingdependencesofthec-axislengthandonsetTcweresummarized.Thehigh-TcobservedinthesequenchedcrystalsmaybeattributedtosimultaneoustuningofelectroncarriersdopingandstraineffectcausedbylatticereductionofSm-substitution.

  • 标签: 掺杂晶体 超导电性 SM 单晶 晶格参数 淬火温度