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5 个结果
  • 简介:利用拉曼光谱研究了He^2+注入六SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系,并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型,模拟了室温及723,873,1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明:随着注量的增加,晶体样品无序度增大,样品的拉曼特征峰强度减小。

  • 标签: 碳化硅 离子注入 拉曼光谱 损伤累积
  • 简介:在大学物理实验教学中,学生在调节示波器频率时,通常会遇到萨如图形随着频率的调节,出现不稳定现象。在一定的范围内,当频率调节增加时,萨如迁移演化不稳定程度不同。本文通过实验以及matlab软件模拟萨如图像形成过程,举例着重讨论分析萨如图形不稳定原因,并初步定量讨论影响不稳定迁移演化周期因素。

  • 标签: 李萨如图形 不稳定性 迁移演化周期 MATLAB模拟
  • 简介:在相同的反应体系中当ph值从约9.5调变至11时分别合成出双中孔SiO2和六中孔SiO2材料,并用XRD、N2吸附、TEM、TG/DTA和FTIR等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明,双中孔SiO和六中孔SiO2是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六中孔SiO2相比,双中孔SiO2也具有典型中孔材料的特征XRD谱图,虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单XRD衍射峰(d=5.2nm),但它却给出一种独特的N2吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与SiO2骨架间相似的相互作用,两类材料给出类似的FTIR谱图和TG/DTA曲线。然而,在双中孔SiO2的FTIR谱图中960cm处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔SiO2较六中孔SiO2具有更高的骨架聚合度。更多还原

  • 标签: 双中孔SiO2 六方中孔SiO2 合成 表征
  • 简介:在大学物理教学中分析萨如图像时,通常使用传统的方法,即切点数反比法、或十字交点数反比法确定萨如图像水平与竖直方向分振动频率比。但切点数反比法无法确定有端点的萨如图像的频率比,而十字交点数反比法分析时,学生容易出现较多疑问。而此提出的新的分析方法——单曲线数正比法,其分析过程与分振动物理含义结合紧密,容易理解,应用简单,对封闭以及有端点的萨如图形分析都适用。

  • 标签: 李萨如图形 频率比 单曲线数正比法